Наличие - объемный заряд
Cтраница 2
Такой ход процесса объясняется наличием объемных зарядов у катода. В соответствии с полярностью данной полуволны тока к аноду устремляются электроны, а к катоду положительно заряженные ионы. [16]
Характерная особенность полупроводникового электрода - наличие объемного заряда в сравнительно толстом приповерхностном слое ( см. разд. [17]
Это смещение возникает в результате наличия объемных зарядов на границе металл-полупроводник, появляющихся вследствие разности уровней нижних границ зон проводимости металла и полупроводника. [18]
 |
Вольтамперные характеристики диода при различных температурах металлического катода. [19] |
Этот участок вольтамперной характеристики соответствует наличию объемного заряда. [20]
Увеличение напряженности поля достигается за счет наличия объемного заряда на границе анодной области, так как электронов здесь значительно больше, чем ионов. Наличие объемного заряда создает разность потенциалов - анодное падение напряжения, величина которого очень мала и для металлических электродов составляет всего 2 - 4 в. Площадь анодного пятна значительно больше площади катодного, поэтому напряженность поля в анодной области меньше, чем в катодной. [21]
Зарядные процессы в обедненном слое р-л-переходов транзистора обусловлены наличием объемного заряда у границ р-л-переходов. [22]
Разработаны различные методы расчета электростатических полей и полей при наличии объемных зарядов. [23]
Авторы работы [40] связывают расширение изображения линий элементов основы с наличием объемного заряда в ионном пучке. [24]
В работах [96, 189] были исследованы аберрации электронноопти-ческих систем с симметрией вращения при наличии объемных зарядов, причем во второй из указанных работ учтен также релятивистский эффект. [25]
Вольт-фарадные методы измерения параметрои полупроводников основаны на определении зависимости емкости структуры, обусловленной наличием объемного заряда в приповерхностной области полупроводника, от приложенного к ней напряжения. Одновременно на структуру могут оказывать влияние другие факторы, которые могут варьироваться при измерениях. К ним относятся воздействие на структуру внешнего фотоактивного излучения и ее нагревание по определенному закону. В первом случае емкость, возникающую за счет поглощения излучения, называют фотоемкостью, а во втором - термостимулированной емкостью. [26]
Свойство емкости р-п перехода изменять свою величину при изменении внешнего напряжения связано с наличием объемного заряда в области потенциального барьера р-п перехода. [27]
Особенно снижается вентильная прочность тиристоров в случае приложения напряжения с крутым фронтом при наличии объемного заряда. Хотя в настоящее время выпускаются тиристоры, выдерживающие большие ( до 1000 В / мкс) скорости нарастания прямого напряжения, применение таких приборов не всегда оправдано по технико-экономическим соображениям. [28]
Таким вектором может характеризоваться, например, постоянное электрическое поле в вакууме при наличии объемного заряда. [29]
Электролитическая ванна может быть использована также для нахождения распределения потенциала в поле при наличии объемного заряда. Объемный заряд при атом имитируется либо заданием определенного рельефа дна ванны, либо размещением в электролите дополнительных источников тока. Рассмотрим сначала первый метод [253, 314], ограничившись двумерными полями. [30]
Страницы: 1 2 3 4