Наличие - пространственный заряд - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Чтобы сохранить мир в семье, необходимы терпение, любовь, понимание и по крайней мере два телевизора. ("Правило двух телевизоров") Законы Мерфи (еще...)

Наличие - пространственный заряд

Cтраница 2


Наоборот, скачки потенциала у катода и анода указывают на наличие там пространственных зарядов.  [16]

17 Расстояние катода от минимума потенциала в диоде с плоскопараллельными электродами при ограничении тока пространственным зарядом и при / - 30 / а.| Влияние падения напряжения UH вдоль прямопакального катода на характеристику диода при ограничении тока пространственным зарядом. [17]

Изменение работы выхода катода не влияет на анодный ток при наличии пространственного заряда.  [18]

19 Спектр масс, записанный прибором АПДП-2. [19]

Этот принцип измерения не может обеспечить количественный анализ газовой смеси из-за наличия пространственного заряда. Регистрируются главным образом наиболее распространенные компоненты. Мало распространенные компоненты обнаруживаются, если их парциальное давление составляет по крайней мере 5 % полного давления. Невозможно поэтому получить кривые, выражающие точное соотношение между высотой пика и парциальным давлением.  [20]

При этом отличие напряженности поля от U / L связано с наличием пространственного заряда.  [21]

Здесь показано изменение потенциала в промежутке катод - анод диода при наличии пространственного заряда.  [22]

23 Зависимость анодного то. [23]

Недостатком вакуумных выпрямительных ламп является их значительное внутреннее сопротивление ( рис. 1 - 3), обусловленное наличием пространственного заряда ( электронного облака) вблизи катода. Последний, окружая катод, в значительной степени нейтрализует влияние электрического поля аноп. Происходящее благодаря этому снижение коэффициента полезного действия выпрямителя требует применения значительного ( в несколько сот вольт) анодного напряжения для достижения силы выпрямленного тока лишь в десятые доли ампера.  [24]

Расстояние между анодом и экранной сеткой берется в несколько раз большим расстояния меж у катодом и экранной сеткой, что и обеспечивает наличие сильного пространственного заряда за счет большого количества электронов в объеме между анодом и экранной сеткой. Кроме того, со стороны большой оси эллипса экранной сетки расположены сплошные желоб-чатые 4 электроды ( экраны. VII-16, б) и, следовательно, имеющие отрицательный потенциал относительно анода. Эти электроды предотвращают дщгатронный эффект со стороны большой оси экранной сетки и поэтому наз пзаются противодинатронными. Для направления электронов на анод и уменыпения тока экранной сетки витки этой сетки располагаются с тем же шагом, что и витки управляющей сетки, строго за ними. Благодаря этому; электроны попадают на анод несколькими расслоенными лучами.  [25]

26 Лучевой тетрод. а конструкция. [26]

Расстояние между анодом и экранной сеткой берется в несколько раз большим расстояния между катодом и экранной сеткой, что и обесг почивает наличие сильного пространственного заряда за счет большого количества электронов в объеме между анодом и экранной сеткой. Кроме того, со стороны большой оси эллипса экранной сетки расположены сплошные желобчатые электроды ( экраны), соединенные с катодом и, следовательно, имеющие отрицательный потенциал относительно анода. Эти электроды предотвращают динатродный эффект со стороны большой оси экранной сетки и поэтому называются противодинатронными.  [27]

28 Пространственный каливание катода между катодом и заряд в диоде и вызываемое анОдом возникает пространственный им перераспределение потен - 3& ряд и распределе1ше потенциала. [28]

При этом значение потенциала в любой плоскости х оказывается меньше, чем в отсутствие пространственного заряда, а следовательно, и скорости движения электронов при наличии пространственного заряда уменьшаются. С увеличением анодного напряжения концентрация электронов в облаке пространственного заряда уменьшается. Поэтому и тормозящее действие пространственного заряда делается меньше, и анодный ток увеличивается.  [29]

Наиболее важными из них, приводящими к росту Z, являются: изменение фазовых скоростей электронов и фононов на границах зерен, рассеяние на неодно-родностях среды, наличие поверхностных дефектов и др. В работе [23] предполагается, что в области контакта зерен могут образоваться проводящие мостики повышенной электропроводности из-за наличия пространственного заряда, образованного дефектами структуры. При малых диаметрах контакта ( 100 А) электропроводность мостиков существенно влияет на общую электропроводность вещества. Дефекты структуры в области контакта приводят к рассеянию фононов; при диаметрах контакта, соизмеримых с длиной свободного пробега фонона, они дополнительно рассеиваются. При малых размерах зерен фононы дополнительно рассеиваются и на границах зерен.  [30]



Страницы:      1    2    3    4