Cтраница 3
Амплитуды волн, пришедших из Pi и Р2 в точку Р0, изменяются. Эти изменения зависят от расстояний, пройденных волнами, размеров отверстий или других особенностей устройств, с помощью которых осуществляется дифракционный опыт. Однако они не влияют на характер изменения напряженностей полей в зависимости от времени. Поэтому напряженности полей в точке Ро получаются из напряженностей полей в точках PJ и Р2 умножением на некоторые постоянные, учитывающие только что перечисленные факторы. [31]
Амплитуда волны в центре экрана пропорциональна ширине щели. [32]
Амплитуда волны может немного возрасти позади бора, но далее при t оо постепенно падает до нулю. [33]
Амплитуда волны уменьшается обратно пропорционально расстоянию. [34]
![]() |
Распространение ультразвука от источника излучения - пьезопластины. [35] |
Амплитуда волны в дальней зоне падает обратно пропорционально расстоянию от конкретной точки до источника колебаний. [36]
Амплитуда волны может быть комплексной величиной, но ее квадрат, связанный с энергией, должен быть действительной величиной. [37]
Амплитуда волны для каждого узла различна и зависит от координат атомов. Когда атомы находятся в узлах волны, они поглощают меньше энергии. Так возникает аномальное поглощение. Если в кристалле есть нарушения правильности строения, то они препятствуют распространению волнового процесса. Эти нарушения создают теневую картину дислокаций малоугловых границ на рентгеновской пленке в виде менее экспонированных участков по сравнению с совершенным кристаллом. [38]
Амплитуда волны, рассеянной данным атомом, пропорциональна фактору рассеяния / для этого атома. Рассеяние рентгеновских лучей атомами происходит на электронах, которые в хорошем приближении можно рассматривать как свободные электроны, распределенные в соответствии с электронным облаком заряда данного атома. Следовательно, фактор рассеяния / пропорционален эквивалентному числу свободных электронов. [39]
Амплитуда волны, отраженной от щели, перпендикулярной поверхности изделия, быстро возрастает с увеличением глубины щели до 0 4XS, а затем испытывает осцилляции. В пределе эта величина стремится к значению, соответствующему отражению от двугранного угла. Учитывая специфические особенности распространения поверхностных волн, поверхность контролируемого изделия должна иметь высоту шероховатостей не более 2 мкм. [40]
Амплитуды волны затухают в направлении распространения; прямая волна - в направлении оси z, отраженная - в обратном направлении. [41]
Амплитуды волн затухают в направлении своего распространения. [42]
![]() |
ЛО. Режимы течения в горизонтальных каналах. [43] |
Амплитуда волн течения в этом случае настолько увеличивается, что водны достигают верхней стенки трубы. Волны жидкости подхватываются быстродвижущимся газом и образуют пенистый снаряд, который продвигается по трубе со значительно большей скоростью, чем средняя скорость жидкости. Снарядное течение также образуется из пробкового течения, если увеличивать расход газа при постоянном расходе жидкости. [44]
![]() |
Распределение давлений в ПД и радиальных напряженияй в оболочке в различные моменты времени. [45] |