Наличие - примесный атом
Cтраница 1
Наличие примесных атомов сказывается на поведении полупроводника двояко. Если, например, в кристаллической решетке чистого четырехвалентного полупроводника германия один из атомов заместить атомом пятивалентной сурьмы, то последний легко отдаст лишний пятый электрон. [1]
 |
Строение кристалла. о-идеального. б-с краевой дислокацией. [2] |
Наличие примесных атомов или ионов в структуре сильно влияет на физические и механические свойства кристаллов. [3]
 |
Примесная проводимость - типа. а - кристаллохимическое представление. б - зонная структура. [4] |
При наличии примесных атомов в кристаллической решетке, замещающих атомы основного компонента, природа электрической проводимости изменяется. [5]
Электропроводность, обусловленную наличием примесных атомов в кристаллической решетке, называют примесной. [6]
Проводимость, обусловленную наличием примесных атомов, нарушающих структуру кристаллической решетки, называют примесной проводимостью. [7]
 |
Процесс образования пары электрон - дырка в решетке под действием фонона ( или фотона. [8] |
Проводимость, обусловленную наличием примесных атомов, нарушающих структуру кристаллической решетки, называют примесной. Заметим, что слово примесь не всегда следует понимать буквально. В ряде случаев такие же последствия, как наличие примесных атомов, могут вызывать различные дефекты решетки: избыток одного из основных компонентов вещества ( например, кислорода в закиси меди), смещение некоторых узлов решетки и др. Поэтому более точен общий термин - дефектная проводимость. [9]
 |
Температурная зависимость / для примесных атомов олова в ванадии. [10] |
Известно, что спектр колебаний кристалла при наличии примесных атомов даже в очень малой концентрации состоит в общем случае из энергетических полос и нескольких дискретных уровней. Дискретным уровням соответствуют пространственно локализованные колебания. [11]
 |
Схема движения свободной дырки в кристаллической решетке. [12] |
В ряде случаев такие же последствия, как наличие примесных атомов, могут вызывать различные дефекты решетки: избыток одного из основных компонентов вещества ( например, кислорода в закиси меди), смещение некоторых узлов решетки и др. Поэтому более точен общий термин - дефектная проводимость. Атомы примеси могут по-разному располагаться в решетке собственного полупроводника. [13]
 |
Влияние концентрации примеси С на изменения структуры, наблюдавшиеся в алюминии с помощью. [14] |
Если предположить, что скорость движения границы зерен v связана с движущей силой р соотношением v mp, и определять таким образом подвижность границы зерен через т, то наличие примесных атомов может изменять как движущую силу, так и подвижность границы. [15]
Страницы: 1 2