Cтраница 1
Наличие постороннего атома в жидкости приводит к появлению новой ветви энергетического спектра, соответствующей движению этого атома через жидкость; разумеется, ввиду сильного взаимодействия атома примеси с атомами жидкости, это движение является в действительности коллективным эффектом, в котором принимают участие также и атомы жидкости. [1]
Наличие постороннего атома в жидкости приведет к появлению новой ветви энергетического спектра, соответствующей движению этого атома через жидкость; разумеется, ввиду сильного взаимодействия атома примеси с атомами жидкости это движение является в действительности коллективным эффектом, в котором принимают участие также и атомы гелия. [2]
Нарушения решетки в виде пиков, наличия посторонних атомов, пропусков и здесь будут сильно влиять на скорость реакции, поскольку все эти факторы влияют на энергию L делокализации электрона, а потому могут изменять все тепловые эффекты, в частности энергии связей А / и В / - Это приводит к неоднородности поверхности как по теплотам хемо-сорбции, так и по энергиям активации на различных участках поверхности. BV имеют наиболее благоприятные для скорости реакции значения. [3]
Нарушения решетки в виде пиков, наличие посторонних атомов, пропусков и здесь будут сильно влиять на скорость реакции, поскольку все эти факторы влияют на энергию L делокализации электрона, а потому могут изменять все тепловые эффекты, в частности энергии связей AV и BV - Это приводит к неоднородности поверхности как по теплотам хемо-сорбции, так и по энергиям активации на различных участках поверхности. BV имеют наиболее благоприятные для скорости реакции значения. [4]
Уширение резонансных линий под действием давления происходит из-за наличия посторонних атомов в среде излучающих или абсорбирующих атомов. Величина уширения изменяется в зависимости от давления посторонних газов и от их физических свойств. Точное ее значение рассчитать трудно, но известно, что порядок величины такой же, как у допплеровского уширения. [5]
В этом случае рассмотренные выше схемы-модели осложняются несовершенствами решетки кристаллитов и наличием посторонних атомов на периферии структурных агрегатов, составляющих поликристаллический графит. Атомы водорода, кислорода, азота, рассматриваемые как посторонние в решетке графита, имеют стремление улетучиваться при нагревании, что может быть связано с наблюдаемым падением электросопротивления в области температур максимальной скорости их удаления. В образцах, прокаленных при высокой температуре, практически уже не остается посторонних атомов, и, следовательно, излишек свободных электронов, обусловливающих электропроводность, создается только углеродными атомами. [6]
Каждое твердое тело, включая хорошо образованный кристалл, содержит в своей структуре определенные нарушения, обусловленные наличием постороннего атома, отсутствием одного из атомов решетки, смещением одного из атомов в межатомные промежутки или наличием других нерегул яр ностей. Такие нарушения не ограничиваются местами расположения атомов, но обусловливают также деформации, распространяющиеся на другие области. Они могут быть достигнуты искусственно, например путем механического изменения формы тела; при повышении температуры нарушения частично устраняются. Электронные уровни в местах нарушений решетки имеют совершенно иное расположение, и полосы проводимости здесь прерываются. Затем он может при подводе внешней энергии ( например, при повышении температуры) снова перейти в зону проводимости и оттуда ( с испусканием кванта. Возможно также, что он задержится в ловушке, как f - центр, неопределенно долгое время ( особенно при низких температурах) и будет обусловливать поглощение света. [7]
Полученные результаты показывают, что проводимость карборунда нельзя объяснить ни отклонениями от стехиометрического состава ( избыток или недостаток атомов кремния), ни наличием посторонних атомов. Однако известно, что чистейший карборунд практически не проводит электрического тока. [8]
Кристаллофосфорами и являются такие вещества, кристаллическая решетка которых имеет значительное количество дефектов. Дефекты обычно вызываются наличием постороннего атома или иона, называемого активатором, который либо встает в узел кристаллической решетки, замещая один из ионов, либо помещается в междуузлие. [9]
Последний процесс идет медленнее, чем рекристаллизация. Влияние нагрева на свойства холоднодеформированного соединения устанавливается по диаграммам рекристаллизации, дающим зависимость размера зерна от температуры нагрева после деформации на определенную величину ( фиг. При этом учитывается некоторое повышение температуры рекристаллизации из-за наличия посторонних атомов в плоскости соединения. [10]
С повышением температуры облегчается деформация в плоскости стыка, увеличивается площадь контактов при заданном усилии и уменьшается степень деформации ( фиг. С нагревом также резко уменьшается требуемое давление осадки, которое при комнатной температуре близко к трехкратному пределу текучести, а при температурах, близких к плавлению, только на 20 - 30 % превышает его. Рекристаллизация в плоскости стыка при сварке, несмотря на значительное обжатие, происходит при более высоких температурах, что связано с наличием посторонних атомов в плоскости соединения. С повышением температуры и длительности облегчается сфероидизация окислов, растворение газов и окислов в слоях металла, прилегающих к поверхности; происходит приспособление кристаллических решеток соединяемых поверхностей. У армко-же-леза при малой окисленности свариваемых поверхностей граница между заготовками начинает исчезать при 900 С. [11]
Рассмотрим для доказательства энергетический спектр гелия II, содержащего малое количество посторонних атомов. При этом можно не учитывать взаимодействия посторонних атомов друг с другом и рассматривать только их взаимодействие с атомами основного изотопа гелия. Получаемый таким образом энергетический спектр содержит в себе, кроме фононного и ротонного спектра чистого гелия II [2, 3], дополнительные энергетические уровни, обязанные наличию посторонних атомов. [12]
Реальные кристаллы значительно сложнее рассмотренных выше моделей. Кристаллическая решетка реальных веществ имеет многочисленные дефекты. Одним из источников искажения решетки являются тепловые колебания атомов ( ионов), определяющие тепловую энергию кристалла. Другой причиной искажения решетки является наличие посторонних атомов либо в виде загрязнений, либо в виде легирующих элементов. Если размеры атомов основы и примесей отличаются друг от друга, то они будут вызывать местные искажения решетки, которые повлекут изменения физических свойств кристаллов. [13]
Во всех углеродистых материалах, начиная от тел, состоящих из конденсированных кольцевых систем и кончая поликристаллическим графитом, электрический ток направляется преимущественно вдоль плоскостей бензольных колец. При переходе через границы молекулярных плоскостей, где электроны перескакивают через энергетический барьер в соседние кристаллиты, происходит рассеяние электронов. Кроме того, рассеяние вызывается также термическими колебаниями решетки. В молекулярных телах с неупорядоченной решеткой энергетические барьеры создаются наличием посторонних атомов, прикрепленных к периферии молекул. [14]
Нижний край карты используется для кодирования положения 8 - 10 главных полос поглощения. Около отверстий отмечены длины волн в микронах и частоты в обратных сантиметрах. Верхний и левый края карты используются для кодирования информации, связанной со строением молекулы, которая рассматривается как состоящая из определенного количества структурных единиц, представляющих интерес с точки зрения химии и спектроскопии. На карте кодируется: число атомов углерода, строение основного скелета молекулы ( число ненасыщенных углеродных связей, число колец-конденсированных и неконденсированных, наличие посторонних атомов в кольце), типы групп заместителей и их положение. Если структура соединения неизвестна, то кодируется по алфавиту название соединения. Подробное описание кода дается в специальном руководстве, приложенном к перфокартам. [15]