Cтраница 1
Наличие внутренних незаполненных электронных оболочек ведет к снижению температуры разложения. [1]
В силу наличия незаполненных электронных оболочек с нескомпенсированными спинами часть электронов одного атома располагается настолько близко к ядру другого атома, что между соседними атомами как бы имеет место обмен электронами. [2]
Парамагнетизм молекул чаще всего объясняется только наличием единственной незаполненной электронной оболочки или. Остальная часть молекулы, которая может быть относительно очень большой, может давать соответственно большой диамагнитный вклад в действующую силу. Кроме того, в многокомпонентных системах могут присутствовать и полностью диамагнитные молекулы. В этом случае парамагнетизм может оказаться полностью завуалированным, и система в целом будет выталкиваться из магнитного поля. [3]
Электронный парамагнитный резонанс может наблюдаться лишь при наличии незаполненных электронных оболочек, так как момент заполненной оболочки равен нулю. Исключения имеют место в следующих случаях. [4]
В работе [28] высокая модифицирующая способность титана и других переходных металлов объясняется наличием недостроенных электронных оболочек и зависит от числа и энергетического состояния электронов на недостроенных оболочках изолированных атомов этих металлов. [5]
Для некоторых свойств ионов ( например, цветности) особое значение имеет, по-видимому, наличие незаконченной электронной оболочки, независимо от того, является ли оиа внешней или внутренней. [6]
Как правило, полупроводниками являются окислы так называемых переходных металлов ( от титана до цинка в таблице Менделеева), для которых характерно наличие незаполненных электронных оболочек и переменная валентность. В результате при образовании окисла в определенных условиях ( наличие примесей, отклонение от стехиометрии) в одинаковых кристаллографических положениях оказываются ионы с разными зарядами. Обменом электронами, между этими ионами объясняется электропроводность окисных полупроводников. Так как энергия, необходимая для такого обмена, невелика, все электроны ( или дырки), которые могут переходить от одного иона к другому, можно считать свободными носителями заряда, а их концентрацию постоянной при температурах в рабочем для термистора диапазоне. [7]
В частности, окрашенные ионы дают лишь некоторые элементы больших периодов, расположенные в рядах 3 - 11, для которых как раз и характерно наличие незаконченных электронных оболочек. [8]
Уменьшение сопротивления термисторов, выполненных на основе монокристаллических полупроводников, объясняется увеличением концентрации носителей зарядов за счет ионизации примесных и собственных атомов при увеличении температуры. Для поликристаллических окисных полупровбдни-ков характерны наличие незаполненных электронных оболочек и переменная валентность. Электропроводность их в основном определяется подвижностью носителей зарядов. [9]
Электропроводность оксидных полупроводников с преобладающей ионной связью отличается от электропроводности кова-лентных полупроводников. Для металлов переходной группы характерны наличие незаполненных электронных оболочек и переменная валентность. В результате при образовании оксида в определенных условиях ( наличие примесей, отклонение от стехиометрии) в одинаковых кристаллографических положениях оказываются ионы с разными зарядами. Электропроводность таких материалов связана с обменом электронами между соседними ионами. Энергия, необходимая для такого обмена, экспоненциально уменьшается с увеличением температуры. [10]
Электропроводность окисных полупроводников с преобладающей ионной связью между атомами отличается от электропроводности ковалентных полупроводников. Для металлов переходной группы характерны наличие незаполненных электронных оболочек и переменная валентность. В результате при образовании окисла в определенных условиях ( наличие примесей, отклонение от стехиометрии) в одинаковых кристаллографических положениях оказываются ионы с разными зарядами. Электропроводность таких материалов связана с обменом электронами между соседними ионами. Энергия, необходимая для такого обмена, мала. Поэтому все электроны ( или дырки), которые могут переходить от одного иона к другому, можно считать свободными носителями заряда, а их концентрацию - постоянной в рабочем диапазоне температур термистора. [11]
Сравнительно большой вклад полярной структуры ( I б) является существенной особенностью электронной структуры синглетных аминонитренов, отличающей их от С-нитренов и от типичных карбенов. Злектрофильные свойства, характерные для карбенов и связанные с наличием незавершенной электронной оболочки, у аминонитренов могут быть слабо выражены и даже маскированы отчетливыми проявлениями нуклеофильности отрицательно заряженного концевого атома азота с высокой заселенностью тг - АО. В этом отношении ближайшими аналогами аминонитренов - надо, по-видимому считать не С-нитрены, а так называемые нуклеофильные карбены, в частности малоизученные аминокарбены. [12]
Из всех областей, в которых нашли применение методы магнетохимии, область координационных соединений, особенно ионов переходных металлов, является, несомненно, наиболее благодарной. Это связано с тем, что одним из важных аспектов магнетохимии является рассмотрение эффектов, обусловленных наличием незаполненных электронных оболочек, которые, по крайней мере в первом приближении, можно рассматривать как изолированные друг от друга; эти условия выполняются наиболее строго в комплексных соединениях переходных и лантанидных элементов. В этой главе мы изложим сначала наиболее очевидные применения магнетохимии для определения валентности и типа связи в комплексных соединениях, а затем рассмотрим более подробно в пределах, допускаемых объемом, экспериментальные методы магнетохимических измерений. В заключение мы сделаем попытку изложить теорию, на которой основываются наиболее современные и наиболее точные применения магнетохимии к координационной химии. [13]
Все, что в этих формулах обусловлено кулоновским взаимодействием частиц, вычислено до конца аналитически, явно. В реальных ионах имеется вклад в свободную энергию, обусловленный дополнительным сдвигом фазы Si ( р) волновой функции относительного движения частиц в непрерывном спектре за счет наличия электронных оболочек, искажающих кулоновское поле вблизи ядра. Этот вклад хотя и выражен явно через производную d6i ( p) / dp, которая входит под знаком интеграла по импульсу р и под знаком суммы по орбитальному квантовому числу /, но сам сдвиг фазы нужно рассчитывать особо для каждой пары индивидуальных ионов. Пока в программе этот член не учитывается. [14]
Вещества, обладающие парамагнитными свойствами называются парамагнетиками. Атомы парамагнетиков обладают собственным магнитным моментом вследствие наличия незаполненных электронных оболочек. В отсутствие внешнего магнитного поля магнитные моменты атомов расположены хаотически и парамагнетики немагнитны. Под действием намагничивающего поля магнитные моменты атомов ориентируются по полю и создают суммарный магнитный момент вещества. Он пропорционален напряженности действующего поля и совпадает с ним по направлению. Намагниченность парамагнетиков возрастает с увеличением напряженности внешнего магнитного поля, вплоть до насыщения. С повышением температуры при постоянном внешнем поле она уменьшается в силу дезориентирующего действия теплового движения на собственные магнитные моменты атомов вещества. Магнитная восприимчивость парамагнетиков положительна. В магнитном поле Земли она в основном не превышает 1256 - 10 - 6 СИ. Хром, молибден, вольфрам, уран, марганец и платина, а также соли железа, кобальта и никеля, минералы, содержащие эти элементы, и породы, в которых данные минералы являются породообразующими, представляют собой парамагнетики. [15]