Cтраница 2
При наличии поля, когда заряды разных знаков смещаются в противоположных направлениях, электрич. [16]
При наличии поля в проводнике свободные электрические заряды начинают совершать упорядоченное ( направленное) движение. Но они одновременно принимают участие в хаотическом тепловом движении совместно с молекулами, атомами и ионами проводника. При столкновении с этими частицами свободные заряды отдают им часть кинетической энергии, которую они приобрели за счет энергии электрического поля. [17]
При наличии поля на схеме пользования стрелки, стоящие у букв, обозначающих отсчитываемые величины, показывают направление их роста. [18]
При наличии поля показатели преломления Nz и Nx Ny различны. [19]
При наличии поля происходит преимущественная ориентация ядерных магнитных диполей в направлении поля. [20]
![]() |
Электродинамический амперметр с вибрирующим кольцом.| Зонд в виде экранированной рамки с отображением, применяемый для измерения поверхностных токов с. в. ч. [21] |
При наличии поля листок отклоняется к центральному проводнику и отклонение наблюдается с помощью оптического устройства. Зонд с известной связью подводит часть сигнала к детектору и индикатору. [22]
![]() |
Поле плоского конденсатора. Е0 - напряженность ноля в вакууме, Ер - напряженность поля поляризации. [23] |
При наличии поля, когда заряды разных знаков смещаются в противоположных направлениях, электрич. [24]
При наличии поля излучения необходимо в суммах заменить ws величиной ( ws Wi), чтобы учесть более короткие времена жизни, обусловленные вынужденными процессами. [25]
При наличии поля F эта вероятность возрастает до v ехр ( - Q / kT) ехр ( zea F / kT); здесь а - расстояние между Р и положением, соответствующим вершине барьера. [26]
Итак, наличие классического поля вида плоской волны с определенной плотностью энергии и факторизующимися корреляционными функциями (2.72) означает, что представление коммутационных соотношений (2.53), определяемое функционалом (2.66), является нефоковским. [27]
Обычно при наличии поля в области базы качество транзистора улучшается. Мы уже обнаружили, что экспоненциальное распределение примеси является оптимальным распределением, обеспечивающим максимальное поле в области базы. Посмотрим теперь, какое максимальное поле и падение напряжения возможно осуществить в области базы для этого распределения. [28]
Появление при наличии поля новых переменных расширяет возможность выбора внешних параметров. Наряду с этими переменными термодинамические функции должны зависеть либо от температуры, либо от энтропии. В самом деле, рассматриваемая система является замкнутой при фиксированных зарядах проводников, поэтому только при выборе е в качестве внешних параметров W представляет собой энергию замкнутой системы. Наконец, W не зависит ни от температуры, ни от энтропии, поэтому выбор между этими переменными может быть сделан любым образом. [29]
Если при наличии поля смещения к участку пленки с намагниченностью в направлении Нсм приложить кратковременно внешнее поле противоположного направления ( Я Яст), то в этом месте образуется ЦМД. Величина Яст называется полем старта. [30]