Cтраница 3
Значение приводимых данных для катализа несколько снижается спорностью распространения выводов о форме, в которой хемосорбированные молекулы находятся на поверхности металла при наличии весьма сильного внешнего электрического поля, на обычную адсорбцию и катализ в отсутствие такого поля. [31]
Теперь полезно еще раз в явном виде сформулировать основную идею учета влияния вещества на поле, которая была прослежена на примере проводников и диэлектриков: при наличии внешнего электрического поля вещество само становится источником электрического поля, в результате чего внешнее поле изменяется. [32]
После перехода электрона в зону проводимости в валентной зоне возникают вакантные уровни. При наличии внешнего электрического поля электроны будут перемещаться в обеих зонах. Проводимость, обусловленная перемещением электронов в зоне проводимости, называется электронной ( п -) проводимостью; проводимость, обусловленная движением электронов в валентной зоне, называется дырочной ( р -) проводимостью. [33]
Поляризационные ( или связанные) заряды возникают в местах изменения поляризованности. При наличии внешнего электрического поля материальные тела сани становятся источниками электрического поля, в результате чего наблюдаемое поле изменяется. При этом электрические поля в отношении своих источников ведут себя так, как будто дело происходит в вакууме и никаких материальных тел нет. Поляризацией называется процесс образования ди-польных нонентов у макроскопических объемов диэлектрика. [34]
В ионных кристаллах пространственная решетка состоит из чередующихся положительных и отрицательных ионов. При наличии внешнего электрического поля положительные и отри цательные ионы смещаются в двух взаимно противоположных направлениях - кристалл поляризуется. [35]
Таким образом, переброс электронов из валентной зоны ( вблизи ее потолка) в зону проводимости ( рис. 43.12) и возникновение вакантных уровней в валентной зоне создают предпосылки для электрической проводимости полупроводника. При наличии внешнего электрического поля эти предпосылки реализуются. В кристалле на носители заряда ( электроны) действует не только внешнее электрическое поле, но также еще и периодическое внутреннее электрическое поле кристалла. Эта масса вводится так, чтобы в ней учитывалось действие на электрон внутреннего поля кристалла и чтобы можно было считать, что электрон с эффективной массой т движется только под влиянием одного внешнего поля. [36]
При наличии внешнего электрического поля заряженные частицы непрерывно получают от поля энергию. Но тем не менее энергия частицы не будет бесконечно возрастать. Действительно, частицы будут сталкиваться с молекулами и передавать им частв своей энергии. [37]
В отсутствие внешнего поля число перескоков справа налево и слева направо будет одинаковым v1v2, распределение ионов по узлам равномерным, а поляризация диэлектрика будет равна нулю. При наличии внешнего электрического поля Е энергия, необходимая для перескока из одного узла, уменьшится, а из другого - увеличится ( см. рис. 26 6) и соответственно изменятся числа перескоков. [38]
![]() |
Схема уровней энергии электронов в полупроводниках. [39] |
После перехода электрона в зону проводимости в валентной зоне возникают вакантные уровни. При наличии внешнего электрического поля будут перемещаться электроны в обеих зонах. Проводимость, обусловленная перемещением электронов в зоне проводимости, называется электронной проводимостью; проводимость, обусловленная движением электронов в валентной зоне, называется дырочной проводимостью. [40]
Средняя скорость теплового движения электронов равна нулю, поскольку в любых двух противоположных направлениях за данный промежуток времени проходит одинаковое число электронов с одинаковыми по величине, но противоположными по знаку скоростями. При наличии внешнего электрического поля все электроны проводимости совершают также регулярное движение в одном и том же направлении ( противоположном направлению поля, так как заряд электронов отрицателен), которое ( движение) накладывается на их хаотическое движение. Вследствие этого движение электронов оказывается не вполне хаотическим, а средняя скорость движения электронов не равной нулю, что и является причиной появления электрического тока. [41]
Написанное условие зависит от взаимного распределения скоростей и поля, которое нельзя определить заранее. Обычно при наличии внешнего электрического поля омический нагрев вносит заметный вклад. [42]
Было показано, что нормальные моды распространения можно определить из эллипсоида показателей преломления. В данной главе мы рассмотрим распространение оптического излучения в кристаллах при наличии внешнего электрического поля. Будет показано, что в некоторых типах кристаллов внешнее электрическое поле приводит к изменению как размеров, так и ориентации осей эллипсоида показателей преломления. Это явление называется электрооптическим эффектом. Электрооптический эффект представляет собой удобный и широко используемый способ управления фазой и интенсивностью оптического излучения. Такая модуляция находит многочисленные применения в различных устройствах, например для кодирования информации в оптических лучах, дефлекторах оптических пучков и спектральных перестраиваемых фильтрах. Некоторые из этих применений мы обсудим в следующей главе. [43]
Твердые тела, обладающие нестехиометрией типа III и IV, электронейтральны вследствие того, что около дефекта решетки захватывается положительная дырка. Как и в случае захваченного электрона, тепловая энергия может освободить дырку, что при наличии внешнего электрического поля приводит к появлению тока. Кристалл в этом случае также становится полупроводником, но этот случай отличается от описанного выше тем, что носителями тока являются не электроны, а положительные дырки. Оба эти типа относятся к электронной проводимости в отличие от ионной проводимости. [44]
![]() |
Условная цепочка атомов. [45] |