Cтраница 1
Наличие полей давления и других сил вызывает эффекты баро - и динодиффузии. [1]
![]() |
Силы между параллельными винтовыми дислокациями. [2] |
Наличие полей напряжений, окружающих дислокации, приводит к появлению силы взаимодействия между ними. Рассмотрим кристалл, содержащий две дислокации А и В, свободный от внешних сил и других дефектов. [3]
Наличие полей продуктов обмена в базисных треугольниках сингулярной звезды и отсутствие эвтектических точек для исходных компонентов позволяет отнести пятерную взаимную 1систему [ 1л, Na, К Cl, B02, W04 к типу обратимо-взаимных систем. [4]
Наличие надежных съемных наборных полей с ремонтоспо-собными коммутационными шнурами и сменных операционных блоков в типовом наборе обеспечивает быстрый переход от одной задачи к другой. В случае, когда объем задачи велик и она не может быть поставлена на одном наборе, возможно объединение нескольких типовых наборов в единую систему. [5]
Наличие полей внутренних напряжений дислокационных ансамблей оказывает значительное влияние на движение дислокаций, точечных дефектов и в целом на эволюцию дислокационной структуры в процессе пластической деформации. [6]
Наличие полей искажений вокруг растворенных атомов вызывает их взаимодействие друг с другом. Однако как показал Крюссар, оно уменьшается пропорционально шестой степени расстояния между атомами и поэтому происходит только локально, между ближайшими соседями. Миграция растворенных атомов в результате существования градиента энергии искажений происходит до тех пор, пока ее не сбалансирует обратная диффузия, обусловленная градиентом композиции. [7]
При наличии полей появляются заряды и токи. [8]
При наличии ионных полей наблюдаются большие изменения рефракции [31, 98], но под влиянием молекулярных полей она обычно может меняться не более чем на несколько сотых процента. [9]
При наличии заряженных полей символ Va обозначает оператор ковариантной производной, зависящей не только от кривизны, но также от электромагнитного поля. [10]
При наличии полей тяготения пространство-время искривлено и мировые линии, образующие поверхность С. [11]
Проводимость дифференциального рассеяния определяется наличием полей высших гармоник в воздушном зазоре. Чем больше кривая поля в зазоре отличается от синусоиды, тем больше дифференциальное рассеяние. [12]
Связь между резонаторами обусловлена наличием краевых полей соседних резонаторов. При выводе расчетных соотношений предполагается, что связи между несоседними резонаторами полностью отсутствуют. [13]
Другими словами, и при наличии полей материи рассеиваются только кванты этих полей и трехмерно поперечные кванты полей Янга - Миллса. [14]