Наличие - контактная разность - потенциал - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если вам долго не звонят родственники или друзья, значит у них все хорошо. Законы Мерфи (еще...)

Наличие - контактная разность - потенциал

Cтраница 1


Наличие контактной разности потенциалов приводит к появлению электрического поля в пространстве вне проводников. Не представляет труда определить это поле вблизи места соприкосновения. В небольшой области вблизи линии соприкосновения ( точка О на рис. 16) пересекающиеся стороны проводников можно рассматривать как плоские.  [1]

Наличие контактной разности потенциалов фк между металлом и полупроводником в отсутствие поверхностных состояний приводит к сдвигу зависимости C ( U) по оси абсцисс на значение контактной разности потенциалов. Если фк0, то происходит сдвиг в сторону положительных значений внешнего напряжения, если фк0, то в противоположную сторону.  [2]

3 Метод обнаружения яв - блюдено следующим образом. два одина. [3]

Качественно явление Пельтье объясняется наличием контактной разности потенциалов. Если электрическое поле, создаваемое в спае контактной разностью потенциалов, ускоряет электроны, то в спае выделяется добавочное количество тепла, если поле задерживает электроны, то тепло поглощается.  [4]

Выпрямление электрического тока возможно при наличии контактной разности потенциалов между двумя металлами или между металлом и полупроводником. Но наиболее совершенные выпрямители получаются при использовании для этой цели электронно-дырочного перехода. Если к электронно-дырочному переходу приложено напряжение так, что создаваемое в полупроводнике поле направлено из электронной области в дырочную и, следовательно, совпадает с направлением контактной разности потенциалов, то общий потенциальный барьер увеличится, а переход основных носителей через барьер уменьшится и при некоторой величине барьера может вообще почти прекратиться.  [5]

Электризация масла в процессе его применения наряду с наличием контактной разности потенциалов является причиной возникновения электрического поля высокой напряженности. Образующаяся дисперсная фаза несет двойной электрический слой, обусловленный зарядом.  [6]

Все фазы, составляющие элемент, записываются подряд в одну строку и отмечаются все имеющиеся поверхности раздела между ними. Чтобы правильно отразить наличие контактной разности потенциалов, принято при записи на обоих концах цепи указывать одинаковые металлы.  [7]

Все фазы, составляющие элемент, записываются подряд в одну строку и отмечаются все имеющиеся поверхности раздела между ними. Чтобы правильно отразить наличие контактной разности потенциалов, принято при записи на обоих концах цепи указывать одинаковые металлы.  [8]

Все фазы, составляющие элемент, записываются подряд в одну строку и отмечаются все имеющиеся поверхности раздела между ними. Чтобы правильно отразить наличие контактной разности потенциалов - принято при записи на обоих концах цепи указ-ывать одинаковые металлы.  [9]

10 R - U характеристика чается и под действием постоян-контакта ной силы сжатия площадь пятна. [10]

Сущность эффекта Том о она заключается в переносе теплоты с одной стороны контакта на другую носителями электрического тока, в результате чего одна сторона контакта нагревается больше другой. Эффект Пельтье возникает при прохождении тока через место контактирования проводников из двух разнородных металлов. Он объясняется наличием контактной разности потенциалов. Если электрическое поле, создаваемое в спае контактной разностью потенциалов, ускоряет электроны, то в спае выделяется теплота Пельгье; если поле задерживает движение электронов, то теплота поглощается. Эффект Колера является результатом туннельного сопротивления, присущего пленкам на поверхности соприкасающихся контактов. Кинетическая энергия прошедших через пленку туннельных электронов увеличивается, когда они достигают анода, имеющего меньший отрицательный потенциал, чем катод.  [11]

12 Изменение значений потенциалов металлов и сплавов ( 1 - серебро без покрытия. 2 - серебро. 3 - платина. 4 - золото. 5 - латунь в процессе нанесения на них покрытия смесью с серебряным порошком ( 1 мае. ч. серебра - - 60, мае. ч. хлористого натрия. [12]

Между поверхностями разнородных металлов, сближаемыми на небольшие расстояния, возникают силы электростатического взаимодействия, которые являются следствием контактной разности потенциалов. Однако величина этих сил значительно меньше ( на 3 - 4 порядка) прочности образующихся при определенных условиях, например при холодной сварке металлов, соединений. Проведенные исследования показали, что серебряное покрытие описываемым способом можно нанести и на серебро, к тому же возможно нанесение покрытий толщиной 50 мкм и более, что нельзя истолковать наличием контактной разности потенциалов. В случае, если покрытие образуется за счет электризации, естественно было бы ожидать повышения скорости образования покрытия при натирании сухим порошком.  [13]

В отсутствии контактного поля энергетические уровни полупроводника изображаются горизонтальными прямыми. Этим выражается тот факт, что энергия электрона, находящегося на данном уровне, во всех точках полупроводника одна и та же. Она не зависит от координат электрона. При наличии контактной разности потенциалов картина меняется: в слое, в котором сосредоточено контактное поле, энергия становится функцией координат электрона. До тех пор, пока электрон находится вне контактного поля, его энергия не зависит от координаты х и дно зоны проводимости изображается горизонтальной прямой. Преодоление этой силы требует затраты работы, которая переходит в потенциальную энергию электрона. Поэтому по мере перемещения электрона внутри слоя объемного заряда его потенциальная энергия р ( х) увеличивается и достигает максимального значения на границе полупроводника.  [14]

15 Схема двух полосковых гетеролазеров с распределенным брэгговским отражением. Локализация протекания тока в узких полосках достигается за счет высокого электрического сопротивления областей, подвергнутых ионной имплантации. световое поле локализовано в составном волноводе, образованном слоями n Al ( MGan eAs, p - GaAs, а неравновесные носители локализованы в слое Р - GaAs, A - шаг дифракционной решетки.| Построение зонной диаграммы идеального резкого п - Р - гетероперехода. а - зонные диаграммы двух изолированны. проводников, gc - дно зоны проводимости, EV - потолок sa - лентной зоны, gp - уровень Ферми ( энергии отсчитываются от энергии е У ( z в ванууме вблизи поверхности полупроводника. б-зонная диаграмма п - Р - гетсроперехода. [15]



Страницы:      1    2