Наличие - рекомбинация
Cтраница 1
Наличие рекомбинации препятствует безграничному росту числа ионов в газе и объясняет установление определенной концентрации ионов спустя короткое время после начала действия внешнего ионизатора. [1]
 |
Зависимость коэффициента перекрестных помех от способа освещения структуры. [2] |
При наличии рекомбинации на тыльной стороне структуры уменьшение d играло бы заметную роль, но одновременно резко уменьшало бы квантовый выход, особенно при освещении с тыльной стороны. [3]
 |
Зависимость степени ионизации некоторых элементов от температуры. о. - при больших степенях ионизации. б - при начальных степенях ионизации. [4] |
Появление такого излучения свидетельствует о наличии рекомбинации электронов и ионов. [5]
Таким образом, щель существует в широком интервале температур как при наличии рекомбинации, так и в лазерном режиме. [6]
Небольшие расхождения в полуширине максимума ( ДЕ 0 1 0 003 эв экспериментальное и 0 091 эв теоретическое) объясняются, по-видимому, наличием второго максимума излучения, о происхождении и структуре которого пока трудно сказать что-либо определенное, однако, возможно, что он связан с наличием двухфо-нонных переходов, ибо независимость его положения от плотности тока, и, следовательно, квадратичную зависимость интенсивности от плотности тока трудно сопоставить с наличием примесной рекомбинации. Таким образом, данные о зависимости интегральной яркости от уровня возбуждения и о спектральном распределении рекомбинационного излучения, хорошо укладывающиеся в рамки теории Ван-Росбрука - Шокли, почти однозначно свидетельствуют о наличии при прохождении тока через контакт p - SiCc металлом собственного рекомбинационного излучения с максимумом в области 2 29 эв. При этом происходит излучение фонона с энергией 0 078 эв, что свидетельствует о том, что данное излучение связано с непрямыми междузонными переходами. Достаточная яркость и малая инерционность имеющихся образцов позволяют надеяться ня использование их в качестве импульсных источников света. [7]
Небольшие расхождения в полуширине максимума ( АЯ 0 1 0 003 эв экспериментальное и 0 091 эв теоретическое) объясняются, по-видимому, наличием второго максимума излучения, о происхождении и структуре которого пока трудно сказать что-либо определенное, однако, возможно, что он связан с наличием двухфо-нонных переходов, ибо независимость его положения от плотности тока, и, следовательно, квадратичную зависимость интенсивности от плотности тока трудно сопоставить с наличием примесной рекомбинации. Таким образом, данные о зависимости интегральной яркости от уровня возбуждения и о спектральном распределении рекомбинационного излучения, хорошо укладывающиеся в рамки теории Ван-Росбрука - Шокли, почти однозначно свидетельствуют о наличии при прохождении тока через контакт p - SiCc металлом собственного рекомбинационного излучения с максимумом в области 2 29 эв. При этом происходит излучение фонона с энергией 0 078 эв, что свидетельствует о том, что данное излучение связано с непрямыми междузонными переходами. Достаточная яркость и малая инерционность имеющихся образцов позволяют надеяться на использование их в качестве импульсных источников света. [8]
Как следует из результатов предыдущей задачи, ионизация в зкой области не приводит к сжатию разряда, если заряженные частицы погибают на стенках. При наличии объемной рекомбинации ситуация изменяется. [9]
 |
Зависимость коэффициента передачи тока от тока коллектора. [10] |
Так как в данной постановке задачи / к - / э / п, выражение (2.157) определяет зависимость р от тока коллектора. Первый член выражения (2.157) обусловлен рекомбинационными потерями электронов в объеме базы, второй член - дефектом инжекции эмиттера, третий - наличием рекомбинации носителей заряда в ОПЗ эмиттера. [11]
В полупроводниках с носителями зарядов обоих типов среднее время жизни каждого из них ограничено. Это связано с тем, что мы имеем здесь дело с совокупностью свободных части-цеподобных объектов с зарядами противоположных знаков, которые время от времени могут сталкиваться друг с другом. В результате столкновения квазиэлектрона с дыркой происходит рекомбинация, после чего оба объекта исчезают. С точки зрения системы электронов в полупроводнике это просто означает, что электрон из зоны проводимости возвращается на вакантное место в валентной зоне с выделением энергии, равной ширине запрещенной зоны. Эта энергия либо уносится испускаемым при этом фотоном, либо передается решетке кристалла, так что рекомбинация это процесс ( рис. 13.10), обратный образованию пары квазиэлектрон дырка. Наличие рекомбинации, а также возможность захвата носителей заряда обоих знаков примесями и другими нарушениями идеальной решетки и приводит к ограничениям на средние времена жизни квазичастиц, в равной мере относящимся и к дыркам, и к квазиэлектронам. [12]
Страницы: 1