Наличие - различный род - дефект
Cтраница 1
 |
Энергетические схемы примесных полупроводников n - типа ( а и р-типа ( б. [1] |
Наличие различного рода дефектов в структуре полупроводника и в первую очередь примесей существенно изменяет электропроводность. [2]
Шнурование тока связано с наличием различного рода дефектов на поверхности и в объеме транзисторной структуры, которые могут приводить к локальному увеличению плотности тока через коллекторный переход. [3]
Шнурование тока связано с наличием различного рода дефектов на поверхности и в объеме транзисторной структуры или каких-либо неоднородностеи, вызывающих локальное увеличение плотности тока через коллекторный переход. [4]
Шнурование тока связано с наличием различного рода дефектов на поверхности и в объеме транзисторной структуры, которые могут приводить к локальному увеличению плотности тока через коллекторный переход. [5]
Шнурование тока связано с наличием различного рода дефектов на поверхности и в объеме транзисторной структуры или каких-либо неоднородностей, вызывающих локальное увеличение плотности тока через коллекторный переход. [6]
При оценке НДС трубопровода необходимо учитывать наличие различного рода дефектов. Устойчивость к переходу дефекта в разрушение зависит от свойств металла труб, способности его противостоять переходу зародыша-дефекта в движущуюся трещину. Процессами, предшествующими эксплуатационному повреждению любой конструкции, являются изменения свойств металла ( коррозия, усталость) в зонах концентрации напряжения и деформаций. [7]
Реальная поверхность полупроводника отличается от идеальной плоской поверхности наличием различного рода дефектов, нарушающих строго периодическую структуру поверхности. [8]
Качество пленки еще до проведения специальных испытаний может быть оценено в процессе ее получения по наличию различного рода дефектов. К основным видам дефектов относятся: 1) разнотол-щинность пленки, 2) наличие морщин и складок, 3) наличие геликов и полос в пленке, 4) плохие оптические свойства, 5) плохие механические свойства. [9]
Стойкость фоторезиста к химическим воздействиям зависит не только от химического состава, но и от толщины и состояния, фоторезистивного покрытия. В результате наличия различного рода дефектов в слое ( сквозные поры - проколы, пыль, пустоты и др.) пленка фоторезиста локально пропускает травители на защитных, участках рельефа. Причиной появления дефектов в слое может быть возникновение механических напряжений и проколов в процессах нанесения слоя, сушки, экспонирования, проявления, задубли-вания и др., причем чем тоньше слой, тем вероятнее возникновение подобных дефектов. [10]
 |
Зависимость разрешающей способности процесса фотолитографии и фоторезиста от толщины слоя фоторезиста. [11] |
Стойкость фоторезиста к химическим воздействиям зависит не только от химического состава, но и от толщины и состояния фоторезистивного покрытия. В результате наличия различного рода дефектов в слое ( сквозные поры-проколы, пыль, пустоты и др.) пленка фоторезиста локально пропускает травители на защитных участках рельефа. [12]
Это расхождение объясняется наличием различного рода дефектов - несовершенств строения кристаллического тела. [13]
Так, для чистого железа теоретическое значение прочности 10 000 МПа, а техническое - 250 МПа. Это расхождение объясняется наличием различного рода дефектов - несовершенств строения кристаллического тела, влияние которых на свойства этого тела столь значительно, что современную физику твердого тела часто определяют как физику дефектов. [14]
В первом случае представляет интерес, соответствует ли покрытие требованиям, которые предъявляются техническими условиями или ГОСТами. Такими испытаниями должно устанавливаться наличие различного рода дефектов, определяться пористость покрытия или его толщина. [15]
Страницы: 1 2