Наличие - паразитная связь
Cтраница 3
Достаточно часто встречаются такие неисправности узла синхронизации, как нарушение чересстрочной развертки, признаком которого является зубчатость линий в квадратах Б-3, Б-6 и веерообразное расхождение линий центральных горизонтальных клиньев таблицы ТИТ в сторону их сужения. В том случае, когда это явление пропадает при уменьшении сш пала изображения ( при регулировке потенциометром АРУ УПЧИ), причиной нарушения является большой сигнал, поступающий на амплитудный селектор. Если же изменением сигнала ( потенциометром АРУ УПЧИ) не удается устранить нарушение чересстрочном развертки, то необходимо изменить параметры интегрирующих цепей и проверить наличие паразитных связей между цепями кадровой н строчной разверток из-за нерационального монтажа. [31]
 |
Влияние паразитных. [32] |
При подключении измерительного прибора к испытываемому изделию получается новая схема, параметры которой в той или иной степени отличаются от параметров схемы до подключения прибора. В результате этого изменяются токи и напряжения, и измеряемый параметр определяется неточно даже при абсолютной точности измерительного прибора. Другим источником дополнительных погрешностей является ошибка, вызванная тем, что измеряемая величина неполностью подводится к входу измерительного прибора. Это чаще всего бывает из-за наличия паразитных связей и влияния индуктивности и емкости монтажа измерительной схемы и вводов прибора. [33]
Полупроводниковые ИМС представляют собой законченные функциональные устройства, элементы которых выполняются в едином технологическом цикле. Поэтому параметры полупроводниковых интегральных микросхем имеют меньший разброс и температурную зависимость, чем Лараметры аналогичных функциональных устройств, выполненных на дискретных элементах. Однако полупроводниковые ИМС требуют сложного оборудования и крупных начальных капиталовложений. Кроме того, недостатком полупроводниковых ИМС является наличие паразитных связей между элементами и подложкой. Несмотря на это технология изготовления полупроводниковых ИМС позволяет получать их надежнее и дешевле гибридных микросхем с навесными элементами. [34]
Полупроводниковые ИМС представляют собой законченные функциональные устройства, элементы которых выполняются в едином технологическом цикле. Поэтому параметры полупроводниковых интегральных микросхем имеют меньший разброс и температурную зависимость, чем параметры аналогичных функциональных устройств, выполненных на дискретных элементах. Однако полупроводниковые ИМС требуют сложного оборудования и крупных начальных капиталовложений. Кроме того, недостатком полупроводниковых ИМС является наличие паразитных связей между элементами и подложкой. Несмотря на это технология изготовления полупроводниковых ИМС позволяет получать их надежнее и дешевле гибридных микросхем с навесными элементами. [35]
В конкретной ситуации выбор Т - или П - звена зависит от возможности практической реализации элементов схемы аттенюатора. В случае высоких значений входного сопротивления может оказаться, что величина R2 в Т - звене чрезвычайно мала, а в П - звене весьма велика. При практической реализации аттенюаторов следует использовать резисторы с малой индуктивностью, например на основе пленок из графита. Рее соединения между элементами должны иметь минимально возможную длину для устранения паразитных связей между ними. Наличие паразитных связей затрудняет создание аттенюаторов с большим затуханием, так как такие связи ограничивают величину максимально достижимого затухания в реальных конструкциях. Поэтому на практике в качестве схемы аттенюатора с большим затуханием применяют каскадное соединение нескольких звеньев, каждое из которых вносит относительно небольшое затухание. [36]
Страницы: 1 2 3