Наличие - состояние
Cтраница 3
Как показывают эти четыре примера, невозможно рассчитать точное количество периодов тактирования, необходимых для выполнения отдельных команд, так как на реальные временные соотношения оказывают влияние такие факторы, как последовательность команд, их выравнивание в памяти, вероятность удачных обращений к кэшу, наличие состояний ожидания. Наиболее разумная предварительная оценка временных соотношений состоит в расчете лучшего, среднего и худшего-случаев выполнения последовательности команд. [31]
 |
Микрофотография среза бутылки из сплава A - G5 после местной полировки и коррозии в продолжение 10 мин. при - 0 65 в при помощи переносной ванны. [32] |
Этот баллон был изготовлен в 1950 г. и самопроизвольно взорвался шесть лет спустя. Наличие сенсибилизированного состояния было доказано интенсивной межкристаллитной коррозией, полученной при потенциале - 0 65 в в нормальном растворе хлористого натрия, который в данном случае является более удобным, чем разбавленная соляная кислота. [33]
Электронный выходной каскад, образуемой логическим вентилем ( обычно это инвертор или буфер), который может находиться в трех логических состояниях ( L. Наличие неактивного состояния позволяет комбинировать выходы устройства с аналогичными выходами шинной структуры таким образом, что в любой момент времени активным на шине оказывается только одно устройство. [34]
Некоторые лантаниды встречаются и в других состояниях окисления, хотя эти состояния всегда менее устойчивы, чем состояние, характерное для группы. Наличие состояний окисления II и IV в какой-то мере можно связать с электронным строением, если предположить, что вакантная, заполненная наполовину и заполненная полностью / - оболочки обладают особой устойчивостью. Такое же явление ( хотя и в меньшей степени) наблюдается в обычных рядах переходных элементов ( особенно у Мп) и для потенциалов ионизации первого короткого периода ( ср. Так, Sc, Y и La образуют только ионы М3, поскольку удаление у них трех электронов приводит к образованию конфигурации инертного газа. Lu и Gd также образуют только ионы М3, но уже потому, что эти ионы имеют устойчивую конфигурацию 4 / 14 и 4 / 7 соответственно. [35]
ПП, а обусловлено различием эперготич. Вследствие наличия поверх-постных состояний, захватывающих электроны и локализующих их, поверхность германия приобретает отрпцат. Вблизи поверхности образуется пространств. [36]
Переключательные схемы широко применяются в цифровых вычислительных машинах, устройствах управления, радиолокационных системах и устройствах связи. Переключательные цепи требуют наличия состояний включено и выключено и определенного способа управления этими состояниями. Транзистор подобен классическому переключателю, в котором под действием напряжения смещения может установиться высокое сопротивление ( выключено) или низкое сопротивление ( включено), и, следовательно, транзистор идеален при построении переключательных цепей. Характеристики, которыми обладает транзистор в состояниях включено и выключено, имеют важное значение и будут описаны подробно, поскольку именно они определяют эффективность переключения. [37]
В [ з ] предложен способ ускорения процесса измерения, основанный на уменьшении взаимосвязи контуров уравновешивания путем формирования специальными методами опорного сигнала фазочувствительного детектора. В 4 используют наличие кваэиравновесного состояния. Но известные решения не позволяют добиться одновременно раздельного отсчета и раздельного уравновешивания. [38]
Такое приближение является достаточно грубым, так как во многих случаях суммарная огибающая совокупности линий, соответствующих одному одноэле-тронному переходу, как правило, имеет более сложный вид и представляет собой функцию с некоторым числом максимумов. Эти максимумы обусловлены наличием состояний групп ионов, значительно отличающихся по энергии. Для уточнения ( 16) представляется естественным группировать линии вблизи таких максимумов и описывать всю совокупность линий рассматриваемого одноэлектронного перехода в виде набора некоторых эффективных профилей. [39]
Интенсивность этих линий быстро падает при увеличении среднего расстояния между спинами, и часто они вовсе не наблюдаются. Линии эти полезны главным образом тем, что доказывают наличие триплет-ного состояния, особенно когда линии в сильном поле оказываются значительно уширенными. [40]
Основными характеристиками качества распознавания являются ошибки распознавания и средние потери. Предположим, при хе г - принимается гипотеза о наличии состояния иг. [41]
Как следует из представленных далее кривых, оперативное восстановление оказывает решающее влияние на надежность системы. Но хотя оперативное восстановление и способно значительно продлить жизнь системы, наличие тупикового состояния приводит к тому, что обе системы в конечном итоге окажутся в состоянии полного отказа. [42]
О, который не обязательно ограничен, но среднее значение которого существует. Данная процедура позволяет избежать использования сингулярных функций, однако при этом теряется возможность определять с первого взгляда наличие неклассического состояния. [43]
Для описания переходных металлов ( левая часть ряда с незаполненными d - оболочками в ОПСЭ) удобно воспользоваться представлением о нелокализованных электронах, но учет d - зон требует при этом специального рассмотрения. Следует указать с самого начала, что, хотя картина свободных электронов хороша для переходных металлов, имеются и некоторые сложности, связанные с наличием мультиплетных состояний, которые будут обсуждаться в разд. [44]
Микросхемы представляют собой двунаправленный 8-разрядный неинвертирующий шинный формирователь с тремя состояниями на выходе. ИС служат буферным устройством в схемах микропроцессорных систем серии КР580, КМ580 и осуществляют связь микропроцессора с периферийными устройствами ввода - вывода информации. Наличие состояния с высоким выходным импедансом позволяет нагрузить группу таких микросхем на одну нагрузку. Обладают повышенной нагрузочной способностью. [45]
Страницы: 1 2 3 4