Наличие - поверхностное состояние
Cтраница 2
На рис. 2.14, а показано, что при инверсии проводимости в полупроводнике имеется также и область обеднения; на рис. 2.14 6 представлено распределение заряда на поверхности полупроводника. Наличие поверхностных состояний меняет не только концентрацию, но также время жизни и подвижность носителей заряда. [16]
ПП, а обусловлено различием энергетич. Вследствие наличия поверхностных состояний, захватывающих электроны и локализующих их, поверхность германия приобретает отрицат. Вблизи поверхности образуется пространств. [17]
 |
Параметры некоторых варикапов. [18] |
Однако наличие поверхностных состояний и обмен электронами между этими состояниями и зоной проводимости приводят к образованию еще одной емкости, сильно зависящей от частоты. Поэтому при конструировании варикапов чаще используется барьерная емкость, мало зависящая от частоты. [19]
В силу наличия поверхностных состояний уровень Ферми занимает, как правило, строго фиксированное положение на поверхности Si и GaAs. Однако полупроводник находится теперь в контакте с диэлектриком. Создавая на границе раздела дополнительный слой соответствующего оксида, можно обеспечить условия для насыщения свободных связей на поверхности полупроводника и тем самым уменьшить плотность состояний на границе раздела. [20]
При контакте р-и n - кристаллов не удается получить воспроизводимой контактной разности потенциалов, что объясняется наличием поверхностных состояний. Однако если бы в одном кристалле распределение и концентрация примесей были такими, чтобы одна часть кристалла имела дырочную, а другая - электронную проводимость, то между этими областями возник бы р - - переход, на котором имелась бы контактная разность потенциалов. Уровень Ферми находится на одной высоте во всем кристалле. В дырочной области он проходит немного выше верхнего края заполненной зоны, в электронной области - немного ниже дна зоны проводимости. [21]
Явления, происходящие при последовательном сближении, нетрудно объяснить на основании предыдущего обсуждения. Предположим, что работы выхода металла и полупроводника не изменяются по мере их сближения и что можно пренебречь наличием поверхностных состояний. [22]
 |
Схема поверхностно-барьерного триода. [23] |
Германиевый поверхностно-барьерный триод имеет структуру типа р-п - р п может быть изготовлен только из материала п-типа. Образование электронно-дырочных переходов в таком триоде не связано с распределением донор-ных и акцепторных примесей в объеме полупроводника, а обусловлено различием энергетических уровней на поверхности и в глубине кристалла. Из-за наличия поверхностных состояний, принимающих электроны и локализующих их, поверхкость германия приобретает отрицательный заряд, который отталкивает электроны в глубь кристалла. Металлический электрод, находящийся в контакте с кристаллом германия, обеспечивает хорошее соединение с поверхностным слоем. [24]
Страницы: 1 2