Наличие - доменная структура
Cтраница 1
Наличие доменной структуры определяет большинство практически важных свойств сегнетоэлектриков. Как правило, эти свойства так или иначе связаны со специфической зависимостью поляризации от электрического поля. В случае, если поляризация однородна по образцу, зависимость Р ( Е) дается уравнениями (3.3) и (3.1) и изображена кривой на рис. 3.7. Как уже отмечалось в гл. III, из этой зависимости вытекает наличие диэлектрического гистерезиса. Казалось бы, на первый взгляд, что величина коэрцетивного поля соответствующих петель гистерезиса должна быть близка к величине поля, отвечающего точке В на рис. 3.7. Однако, как показывает эксперимент, реально наблюдаемые коэрцетив-иые поля на несколько порядков меньше. Это связано с тем, что переполяризация происходит не в виде однородного по образцу изменения поляризации, а вследствие изменения объема существующих доменов из-за движения-доменных стенок и зарождения новых доменов. [1]
Наличие доменной структуры приводит в поликристаллах, так же как и в монокристаллах, к дополнительному резонансному поглощению в области слабых полей. [2]
Усиливающие эффекты, обусловленные наличием доменных структур, проявляются только в совокупности: 1) с взаимодействиями неспецифич. [3]
Особенности поляризационных свойств дигидрофосфата цезия, обусловленные наличием доменной структуры. [4]
 |
Распределение смещений в сегнетоэластическом материале, контактирующем с абсолютно жесткой подложкой ( z 0. [5] |
Как показано в [43], ситуацию с наличием доменной структуры в незажатом сегнетоэластике можно понять, если учесть, что в реальных условиях фазовое превращение обычно протекает при наличии градиента температуры в образце за счет неоднородности его охлаждения. [6]
Для ферримагнетиков, как и для ферромагнетиков, характерно наличие доменной структуры. [7]
Для ферримагнетиков характерно, как и для ферромагнетиков, наличие доменной структуры. [8]
 |
Температурная зависимость tg б ( а и динамического модуля ( б диенуретановых сополимеров с различной молекулярной массой полиуретанового. [9] |
Наблюдаемые области релаксации связаны с проявлением сегментальной подвижности каждого из блоков, что свидетельствует о наличии двухфазной доменной структуры. Независимость температур а-переходов каждого из блоков от молекулярной массы используемого снлоксандиола свидетельствует о достаточно хорошем разделении фаз. [10]
 |
Распределение поляризации в кристалле с одиночной непрогнутой стенкой в модели бесструктурной границы. [11] |
ZeS ( r - г) - объемная плотность заряда, соответствующая одиночному заряду с величиной Ze, Рсп - распределение спонтанной поляризации в сегнетоэлектрике при наличии доменной структуры. [12]
 |
Криъып ц ( ( о - 1 и ( г приведен на рис, 1. [13] |
При значит, размагничивающих факторах со /, может возрастать до значения макс щ у ( - Яа -) - 4яЛ /), что нри наличии доменной структуры приводит к образованию широкой частотной Q 5 полосы потерь л) гш макс ВВИДУ возможности разл. О ления переменного поля Я - С соответствующим Рис - 2 - Дисперсия номпленс - И-ЧМРНРНИРМ WIT пячмяг ной магнитной проницаемости изменением их разма1 - для релаксационного мсханиа-ничивающих факторов. [14]
 |
Кривые намагничивания для антиферромагнетика со структурой Т ( 6г ( - 2Ж ( в поле Н Z соответственно из состояний Hi ( 1 и П2 ( 2. [15] |
Страницы: 1 2