Наличие - транзистор
Cтраница 2
 |
Структурная схема.| Схема блока питания.| Схема источника питания, в котором осуществляется дискретное управление выходным напряжением. [16] |
При необходимости можно использовать многофазное включение нескольких регулируемых и нерегулируемых блоков питания, соединяемых по выходу последовательно - аналогично схеме, показанной на рис. 4.4. При этом возможен оптимальный выбор количества регулируемых и нерегулируемых блоков в зависимости от требуемых значений напряжения и тока в нагрузке, предполагаемого диапазона регулировки, а также наличия транзисторов и диодов определенной мощности. [17]
 |
Электрические схемы контактно-транзисторной системы зажигания. а - принципиальная. б - с транзисторным коммутатором ТК102. [18] |
На рис. 67, а показана принципиальная схема контактно-транзисторной системы зажигания. Наличие транзистора VT значительно облегчает работу контактов прерывателя, так как через них протекает ток управления транзистором ( ток базы / Б), а ток первичной обмотки катушки зажигания / х - через переход эмиттер - коллектор транзистора. [19]
Большим преимуществом ФТЯ является то, что благодаря усилительным свойствам транзисторов снижается требование к мощности тактовых импульсов, что позволяет подключить к одному источнику тактовых импульсов большое количество элементов. Кроме того, наличие транзистора полностью исключает обратное движение информации в схемах. [20]
Но создание действительно малогабаритного устройства, удовлетворяющего хотя бы самым скромным требованиям в отношении его электрических характеристик-задача довольно сложная даже при наличии транзисторов, без которых она была бы просто неразрешимой. Для удачного ее решения недостаточно иметь хорошие технические пособия и руководства, нужны также смекалка и умелые руки. [21]
Принципиальная схема контактно-транзисторной системы зажигания показана на рис. 11.16, а. Контакты прерывателя / включены в цепь базы транзистора VT. Первичная обмотка катушки зажигания 2 включена в цепь эмиттера транзистора VT. Наличие транзистора VT облегчает работу контактов прерывателя, так как через них в этом случае протекает только ток управления транзистором ( ток базы VT6), а ток / 1 первичной обмотки катушки зажигания протекает через переход эмиттер - коллектор транзистора. [22]
Транзистор Г выходит из состояния насыщения раньше, цепь его обратной связи замыкается, но из-за малого сопротивления еще насыщенного транзистора ТВ лавинообразный процесс запирания транзистора Тп развивается медленно. Тем не менее он протекает и ускоряет процесс выхода из режима насыщения транзистора Тн. Минимально возможная длительность импульса системы при этом уменьшается. Обратный лавинообразный процесс в системе из-за наличия транзистора Тв также ускоряется, а длительность среза вершины импульса уменьшается. [23]
В описанных двухтактных схемах преобразователей, у которых имеется средний вывод коллекторной обмотки трансформатора, напряжение на запертом транзисторе оказывается равным удвоенному напряжению питания. Поэтому такие преобразователи обычно применяются при относительно низком питающем ( входном) напряжении. Наряду с подобными преобразователями нашли применение мостовые схемы автогенераторов, у которых напряжение на запертом транзисторе почти равно входному напряжению, что обеспечивает возможность использования таких преобразователей при более высоких питающих напряжениях, чем в двухтактных схемах. Это преимущество мостовых схем, в значительной мере, снижается при наличии транзисторов с высокими допустимыми обратными напряжениями. [24]
При микроэлектронном исполнении приведенный дрейф нуля, вызванный, например, изменением температуры, равен примерно 1 мкВ / град. Столь малый дрейф нуля в дифференциальном усилителе микроэлектронного исполнения достигается за счет технологических и схемотехнических мер. RKZ - Поэтому их основные параметры и температурные свойства практически одинаковы, что обеспечивает максимальную симметрию в усилителе. Транзистор Т3 работает в режиме почти не изменяющегося тока при изменениях температуры. RE з необходимого номинала, а во-вторых, наличием транзистора Г4 в диодном включении в базовой цепи транзистора Т3, что компенсирует температурные смещения его входной характеристики. [25]
Непосредственно после выпрямителя, питающего стабилизатор ( 12 В), нестабилизированное напряжение 18 В отводится для питания высоковольтного узла. В цепи источника 75 В установлен стабилизатор. Здесь Т1 - проходной транзистор, управление которым по базе осуществляется с эмиттерного повторителя на транзисторе Т2, В качестве основного усилительного элемента используется транзистор Т4, коллектор которого соединен с базой Т2 через кремниевый стабилитрон КСЗ с напряжением стабилизации 56 В. Коллекторная нагрузка - резистор R5 - другим концом подключена к стабилитрону К. Такое включение увеличивает коэффициент стабилизации. Учитывая коэффициент усиления транзистора Т4, а также наличие транзистора ТЗ, включенного таким образом, чтобы за счет отрицательной обратной связи повышать эффективное входное сопротивление эмиттерного повторителя Т2, можно считать, что общий коэффициент стабилизации достаточно высок. [26]
Страницы: 1 2