Cтраница 2
Наименьшая толщина эпитаксиальной пленки составляет 0 0025 мкм. Она определяется наличием центров кристаллизации. Верхний предел толщины пленки, свободный от дефектов, равен 250 мкм. [16]
Чем выше молекулярная масса индивидуального газа или смеси газов, тем ниже требуется давление для образования гидратов при одной и той же температуре. Экспериментально доказано, что в объеме воды при наличии центров кристаллизации активно образуются гидраты. Скорость накопления гидрата при этом определяется разницей содержания равновесного газа в воде до и после образования гидрата. [17]
Если в июли-меры добавляют пластификатор, способный выкристаллизовываться при комнатной темлературе, кристаллизация его в массе полимера наблюдается в редких случаях. Объясняется это тем, что пластифицированный полимер представляет - собой слишком вязкую для кристаллизации среду. Образование кристаллов зависит не только от наличия центров кристаллизации, но и от подвижности молекул, а вязкостные силы противодействуют этому. Так, замечено, что глицерин редко кристаллизуется, хотя его температура плавления равна 18 2 С; кристаллизация меда также происходит очень медленно. Трифенилфосфат является твердым пластификатором, но он нелегко кристаллизуется внутри полимерной пленки даже при температурах более низких, чем температура его плавления. [18]
В связи с этим необходимо обратить внимание на то, что кристаллизация всегда начинается от стенок сосуда и от поверхности жидкости к центру, а не наоборот. Нельзя считать причиной этого явления охлаждение внешних слоев жидкости, так как подобным же образом происходит и кристаллизация вещества из пересыщенных растворов, не подвергаемых охлаждению. Кристаллизация всегда начинается на твердых поверхностях или на границе раздела фаз. По-видимому, и в этих случаях решающее значение имеют определенные твердые частички, плотно приставшие к стенкам или собирающиеся обычно на поверхности жидкости. Часто можно наблюдать, что после нагревания и исчезновения однажды уже образовавшихся кристаллов вторичная кристаллизация начинается в тех же точках, что и в первый раз. Это свидетельствует о наличии центров кристаллизации, не изменяющихся при полном растворении или расплавлении вещества. [19]
В связи с этим необходимо обратить внимание на то, что кристаллизация всегда начинается от стенок сосуда и от поверхности жидкости к центру, а не наоборот. Нельзя считать причиной этого явления охлаждение внешних слоев жидкости, так как таким же образом происходит и кристаллизация вещества из пересыщенных растворов, не подвергаемых охлаждению. Кристаллизация всегда начинается на твердых поверхностях или на границе раздела фаз. Повидимому, и в этих случаях решающее значение имеют определенные твердые частички, плотно приставшие к стенкам или собирающиеся, обычно, на поверхности жидкости. Часто можно наблюдать, что после нагревания и исчезновения однажды уже образовавшихся кристаллов вторичная кристаллизация начинается в тех же точках, что и в первый раз. Это свидетельствует о наличии центров кристаллизации, не изменяющихся при полном растворении или расплавлении вещества. [20]
В связи с этим необходимо обратить внимание на то, что кристаллизация всегда начинается от стенок сосуда и от поверхности жидкости к центру, а не наоборот. Нельзя считать причиной этого явления охлаждение внешних слоев жидкости, так как таким же образом происходит и кристаллизация вещества из пересыщенных растворов, не подвергаемых охлаждению. Кристаллизация всегда начинается на твердых поверхностях или на границе раздела фаз. По-видимому, и в этих случаях решающее значение имеют определенные твердые частички, плотно приставшие к стенкам или собирающиеся обычно на поверхности жидкости. Часто можно наблюдать, что после нагревания и исчезновения однажды уже образовавшихся кристаллов вторичная кристаллизация начинается в тех же точках, что и в первый раз. Это свидетельствует о наличии центров кристаллизации, не изменяющихся при полном растворении или расплавлении вещества. [21]
Если жидкость тщательно очищена от примесей твердых частиц и газов, то при достаточно медленном и равномерном отводе от нее теплоты ее можно охлаждать до более низкой температуры, чем температура кристаллизации. Такую жидкость называют переохлажденной. Состояние переохлажденной жидкости неустойчиво, как и состояние пересыщенного пара. Требуются особые условия, чтобы переохлажденная жидкость не переходила в твердое кристаллическое состояние. Обычно бывает достаточно незначительных причин, например, встряхивания переохлажденной жидкости, чтобы началась ее кристаллизация. Образование кристаллической твердой фазы из жидкости зависит не только от наличия центров кристаллизации и интенсивности отвода теплоты кристаллизации, но и от скорости, с которой частицы жидкости поступают к поверхности образующегося кристалла. Поэтому повышение вязкости жидкости способствует переводу ее в переохлажденное состояние и уменьшает скорость кристаллизации. [22]
Что касается твердых частиц, то здесь вопрос о поверхностном натяжении еще более сложен вследствие трудности его измерения, даже для больших кристаллов. Тем не менее и в этом случае используется то же теоретическое приближение27, и в результате снова подтверждается, что критический размер центра кристаллизации является величиной порядка 100 ионов, откуда с необходимостью вытекает вывод, что скорость образования центров кристаллизации является функцией высокого порядка от концентрации. С этой теорией согласуются взгляды Тернбулла16, который указывает, что индукционный период при осаждении сульфата бария имеет скорее кажущийся, чем реальный характер, и что он соответствует периоду очень медленного роста, лимитируемому малой поверхностью. Тернбулл считает, что центры кристаллизации образуются в момент смешивания реактивов в местах, где концентрация оказывается выше критической концентрации образования центров кристаллизации. Различная величина масштабного фактора, о котором говорилось выше, объясняется недостаточной воспроизводимостью процесса смешивания. Относительно долгий кажущийся индукционный период при гомогенной генерации осадителя можно объяснить с помощью теории, утверждающей, что рост частиц происходит только при наличии посторонних центров кристаллизации. Чтобы объяснить получение одинакового количества частиц в осадке, которое наблюдали О Рурк и Джонсон, по-видимому, необходимо предположить, что в данном объеме раствора имеется постоянное количество посторонних центров кристаллизации, независимое от концентрации растворенного вещества в области очень разбавленных растворов. Разные результаты, полученные различными исследователями, по-видимому, объясняются разным количеством посторонних центров кристаллизации. [23]