Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Если ты закладываешь чушь в компьютер, ничего кроме чуши он обратно не выдаст. Но эта чушь, пройдя через довольно дорогую машину, некоим образом облагораживается, и никто не решается критиковать ее. Законы Мерфи (еще...)

Наличие - электрон

Cтраница 3

Следовательно, электропроводность может существовать только при условии наличия электронов в зоне, обладающей незанятыми энергетическими уровнями. Такое условие может соблюдаться в следующих случаях.  [31]

Ниже приведены примеры использования специфических реагентов для определения наличия электрона или атома водорода в системах, в которых этого можно ожидать.  [32]

То обстоятельство, что отражение рентгеновских лучей обусловлено наличием электронов и зависит от их числа, налагает известные ограничения на применимость методов рентгеноскопии к исследованию структуры кристаллов. В частности, оно не позволяет непосредственно определять положение в решетке протона. Кроме того, оказывается сильно затрудненным выяснение структур соединений, в которые одновременно входят атомы с очень малыми и очень большими атомными номерами.  [33]

Парамагнетизм ( втягивание в магнитное поле) обусловливается наличием электронов с неспаренными спинами, как, например, в Oj.  [34]

Вероятность заполнения энергетических уровней в состоянии термодинамического равновесия ( кривая / и в неравновесном состоянии ( кривая 2 и расположение квазиуровней Ферми или демаркационных уровней для электронов и дырок.  [35]

Процесс переноса зарядов может наблюдаться в полупроводниках при наличии электронов в зоне проводимости и при неполном заполнении электронами валентной зоны. При выполнении этих условий и в отсутствие градиента температуры перенос носителей зарядов может происходить либо под действием электрического поля, либо под действием градиента концентрации носителей заряда.  [36]

Процесс переноса зарядов - процесс электропроводности может наблюдаться в полупроводниках при наличии электронов в зоне проводимости и условии неполного заполнения электронами валентной зоны. При выполнении этих условий и в отсутствие градиента температуры перенос носителей заряда может происходить либо под действием электрического поля, либо под действием градиента концентрации носителей заряда.  [37]

Подчеркнем, что наличие разрешенных энергетических уровней и полос еще не означает наличия электронов на них, как и в атоме наличие орбит - воз - А можных путей движения электронов - не означает, что на этих орбитах обязательно находятся электроны. Вещество, описываемое таким распределением электронов, есть диэлектрик. Действительно, состояние системы электронов может измениться только в том случае, если часть из них перейдет из нижних разрешенных энергетических зон в верхнюю разрешенную, но не занятую электронами зону.  [38]

Одним из важнейших физических свойств свободных радикалов является их парамагнетизм, обусловленный наличием неепй-ренного электрона.  [39]

Эквивалентная схема замедляющей системы с учетом влияния несинхронных волн.| Зависимость корней уравнения от параметра Ь.  [40]

Постоянная распространения Г, как уже отмечалось, соответствует распространению волн при наличии электронов.  [41]

Подчеркнем, что наличие разрешенных энергети ческих уровней и полос еще не означает наличия электронов на них, как и в атоме наличие орбит - воз-можных путей движения электронов - не означает, что на этих орбитах обязательно находятся электроны.  [42]

Подчеркнем, что наличие разрешенных энергети -; ческих уровней и полос еще не означает наличия электронов на них, как и в атоме наличие орбит-воз - А можных путей движения электронов - не означает, что на этих орбитах обязательно находятся электроны.  [43]

Зависимость коэффициентов термического расширения стекол системы As-Qe-Se от содержания германия.  [44]

Заниженное значение энергии активации электропроводности по сравнению с гх для стекла этого состава связано с наличием неопаренных электронов на концах оборванных цепей.  [45]

Страницы:      1    2    3    4