Наличие - энергия - активация
Cтраница 1
Наличие энергии активации ре-колебательным и вращательным степеням свободы ( эти параметры ( k) выражаются в единицах л / ( моль с) при 300 К. [1]
 |
Зависимость сопротивления.| Зависимость In s от обратной температуры для металлов и полупроводников. [2] |
Наличие энергии активации Еа означает, что для увеличения проводимости к полупроводниковому веществу необходимо подвести энергию. [3]
 |
Зависимость сопротивления [ IMAGE ] Зависимость In а от обрат-металлов и полупроводников от тем - ной температуры для металлов и пературы полупроводников. [4] |
Наличие энергии активации Еа означает, что для увеличения проводимости к полупроводниковому веществу необходимо подвести энергию. Это означает, что полупроводники - это вещества, проводимость которых сильно зависит от внешних условий: температурь. [5]
При наличии энергии активации такое взаимодействие, например Si ( 2) - О-Si ( 2) и Si ( 3) - О-Si ( 3), приводит к переключению связей с образованием новой перемычки Si ( 3) - О-Si ( 2) и радикалов Si ( 2) - О. [6]
Принятие тоннельного механизма для реакций электронного обмена делает необходимым объяснение наличия энергии активации и малой скорости отдельных реакций. Эти явления можно объяснить, исходя из принципа Франка - Кондона, согласно которому взаимное расположение ядер ( атомов) в молекуле, точно так же как и их скорость, за время электронного перехода заметным образом не изменяются. Иначе говоря, электронный переход является очень быстрым процессом по сравнению с частотой колебания атомов. [7]
Акцепторные уровни расположены выше потолка валентной зоны, и при наличии энергии активации АЕ0 электроны лз валентной зоны могут переходить на указанные уровни, оставляя в зоне незанятые энергетические уровни - дырки. Этот переход сопровождается превращением акцепторов в отрицательно заряженные ионы, которые также не участвуют s электропроводности. [8]
Электрохимическая ( активационная) поляризация обусловлена замедленностью протекания электрохимического процесса, что связано с наличием энергии активации перехода носителей заряда через границу раздела фаз. [9]
 |
Резонансное поглощение ядрами 67Fe у-излучения с энергией 14 4 кэв ( распад 57Со в кремниевом образце п-типа, 0 01 ом-см, чисто приготовленном. [10] |
ЯМР количественно изменяются с температурой как ехр ( - aAE / kT), указывая на наличие энергии активации ( 0 05 эв) состояний с другой симметрией, чем заселенных при низкой температуре. [11]
Выдвинутое Тейлором в качестве общего критерия представление о том, что характерной особенностью процесса хемосорбции является наличие энергии активации, было опровергнуто в результате блестящих исследований Робертса [11] по поглощению газов на вольфрамовой проволоке. Роберте показал, что хемосорбция водорода на чистом вольфраме происходит почти мгновенно при - 183 С и, следовательно, протекает с нулевой энергией активации. Результаты дальнейших исследований на напыленных пленках подтвердили данные Робертса, и несколько лет тому назад казалось окончательно установленным, что хемосорбция на чистых металлах протекает с незначительной энергией активации. Было высказано предположение, что активированная адсорбция может наблюдаться только на загрязненных поверхностях. Однако данные, полученные в последнее время, показали, что этот вывод требует пересмотра. Хемосорбция азота на пленках железа [12, 13] и хемосорбция метана на пленках никеля [14] являются медленными процессам. [12]
При ( Ц) 01015 см предэкспонента составляет величину порядка 1029 см - сек 1, но наличие энергии активации Е сильно снижает это значение. Порядок реакции равен нулю. [13]
Расстояние между исходными уровнями А В [ К ] и АВ - [ К ], очевидно, выражает величину энергии диссоциации QA-B - Из этой графической интерпретации может возникнуть впечатление, что наличие энергии активации обусловлено необходимостью диссоциации при химической адсорбции. [14]
Здесь молекулы газа прочнее связаны с поверхностью; для хемосорбции необходимо преодоление энергетического барьера. Причиной наличия энергии активации является отталкивание электронных облаков молекул газа и атомов поверхности. Деформация электронного облака при приближении молекул газа к поверхности влечет за собой и деформацию в положении атомов в молекуле газа - увеличивает расстояние между ними. [15]
Страницы: 1 2 3