Наличие - дефект - кристаллическая решетка
Cтраница 1
Наличие дефектов кристаллической решетки создает условия для диффузии частиц внутри твердого тела. [1]
 |
Структуры различных модификаций нитрида бора. [2] |
Наличие дефектов кристаллической решетки в соединениях переменного состава, в частности в указанных нитридах, связано с эндотермичностью процесса их образования ( увеличение энтальпии ДЯ) и ростом энтропии ( AS0), в связи с чем их устойчивость ниже, чем у соединений, имеющих минимум таких дефектов. [3]
Благодаря наличию дефектов кристаллической решетки пространственная периодичность распределения потенциала будет нарушена вблизи каждого дефекта, вследствие чего изменяется состояние электронов. [4]
 |
Схема нагружения силой Р вдеальной кристаллической решетки. [5] |
Однако при наличии дефектов кристаллической решетки после небольшой упругой деформации происходит пластическая, или, точнее, упруго-пластическая деформация, в течение которой из-за наличия в решетке дефектов под действием приложенной силы разрушается значительно меньшее количество межатомных сил сцепления. При этом начинает действовать принципиально иной, так называемый дислокационный механизм упруго-пластической деформации, развитие которой может завершиться разрушением металла. При наличии в металле металлургических дефектов или концентраторов напряжений разрушение наступает раньше и продолжается в течение значительно более короткого времени. [6]
Квазилокальные колебания - - колебания, связанные с наличием дефекта кристаллической решетки и имеющие максимум амплитуды вблизи дефекта; частота квазилокальных колебаний лежит в полосе частот идеального кристалла. [7]
Реальные металлы обладают отличным от нуля сопротивлением, так как электроны рассеиваются вследствие наличия дефектов кристаллической решетки и ее колебаний. По мере роста температуры внутреннее сопротивление металлов также растет, так как из-за увеличения амплитуд колебаний решетки, энергия которых дропорциональна kT, возрастает рассеяние электронов. [8]
Как было указано выше, достаточно эффективное преобразование энергии электронного луча в излучение люминофора возможно лишь при наличии дефектов кристаллической решетки - локальных уровней в запрещенной зоне. В некоторых случаях подобные дефекты могут возникать при термической обработке люминофора. Такие же нарушения наблюдаются в некоторых вольфраматах, например в CaW04, используемом в качестве катодолюминофора. В качестве активаторов часто используются тяжелые металлы - Ag, Си, Мп. Концентрация примеси-активатора обычно подбирается экспериментально, в большинстве случаев достаточны доли процента активатора по отношению к основному веществу. Следует отметить, что некоторые примеси к люминофорам не только не увеличивают яркости, но могут совершенно погасить свечение. Такими отравляющими многие люминофоры примесями являются железо и кобальт. [9]
Рассматривая зависимость теплопроводности пород от их минерального состава, следует учитввать не только имеющиеся данные о величине ее для отдельных минералов [7], но и воздействие таких факторов, как размер зерен, присутствие аморфного вещества, наличие дефектов кристаллической решетки. Установлено [3], что с уменьшением размеров зерен теплопроводность уменьшается из-за роста числа контактов между ними. Такое же воздействие оказывает и рост числа дефектов кристаллической решетки, а у стекюаатого вещества теплопроводность в 2 - 5 раз меньше, чем у кристаллов того асе состава: теплопроводность плавленного кварца составляет всего 1 35 Вт / ( и К), вероятно, именно эти факторы приводят к значительному уменьшению теплопроводности при окварцевании пород, хотя возможно и влияние других вторичных процессов, сопутствовавших ему. [10]
 |
Схема диффузионного спекания. [11] |
Процессы твердофазового спекания, основанные на диффузионном механизме переноса вещества, являются наиболее распространенными. Возможность диффузии вещества в твердом теле обусловлена наличием дефектов кристаллической решетки. Атом или ион, перескакивающий благодаря тепловому движению с узла решетки на соседнюю вакантную позицию, освобождает тем самым - новую вакансию, что создает возможность продолжения процесса. [12]
Различают непосредственную рекомбинацию и через ловушки. Уровни ловушек образуются за счет специальных примесей или наличия дефектов кристаллической решетки полупроводника. [13]
Рассмотрим основные представления о механизме упрочнения металлов дисперсными частицами, основанные на анализе взаимодействия движущихся дислокаций с частицами. Указанное взаимодействие зависит от множества трудноучитываемых факторов - размера и формы частиц, вида связи частиц с матрицей, наличия дефектов кристаллической решетки и др. Подобная ситуация объясняет отсутствие единой модели дисперсного упрочнения. [14]
Дробовые шумы в р-п-переходах создаются флуктуациями эмиссии дырок и аналогичны дробовым шумам в электронных лампах. Ре комбинационные шумы создаются в результате беспорядочной рекомбинации дырок с электронами, происходящей в основном на поверхности полупроводника. Концентрация дырок в области базы не остается постоянной также из-за наличия дефектов кристаллической решетки. Тепловые шумы сопротивления базы являются обычными тепловыми шумами любого активного сопротивления. [15]
Страницы: 1