Наличие - различный дефект
Cтраница 1
Наличие различных дефектов в кристаллической решетке алмаза с суммарной концентрацией до 1021 см-3 приводит к появлению дополнительных уровней поглощения и полос фотоионизации, одна из которых, связанная преимущественно с дислокациями и лежащая в области 2 0 - 2 3 эВ, совпадает с линиями излучения ЛПМ. Необходимо отметить, что из всех форм углерода только алмаз является диэлектриком. Любое структурное изменение в нем приводит к появлению проводимости. При сравнении с другими способами обработки прецизионная резка графита излучением ЛПМ признана лучшей. Пороговое значение плотности мощности лазерного излучения, вызывающее разрушение материала, определяется его природой и концентрацией дефектов. [1]
 |
Схема концентрации напряжений у вершины трещины. [2] |
Наличием различных дефектов кристаллической решетки, как показано выше, также нельзя объяснить столь большую разницу в теоретической и реальной прочности. [3]
Все рассмотренные процессы связаны с наличием различных дефектов в кристаллах. [4]
 |
Картина магнитного поля двигателя при радиальном сдвиге ротора. [5] |
Затем рассчитывается топография поля при наличии различных дефектов. На рисунке 3.5.14 представлена картина модели, которая имитирует смещение ротора асинхронного двигателя в результате неисправности подшипников. Как видно из рисунка, смешение ротора сопровождается искажением магнитного поля. [6]
 |
Картина магнитного поля двигателя при радиальном сдвиге ротора. [7] |
Затем рассчитывается топография поля при наличии различных дефектов. На рисунке 3.5.14 представлена картина модели, которая имитирует смещение ротора асинхронного двигателя в результате неисправности подшипников. Как видно из рисунка, смещение ротора сопровождается искажением магнитного поля. [8]
 |
Временные опоры.| Временное усиление дефектных конструкций. [9] |
При оценке степени опасности, вызываемой наличием различных дефектов в растянутых составных элементах, следует условно считать дефекты, расположенные в разных местах по длиие элемента, но в пределах одной панели, совмещенными в одном поперечном сечении в связи с возможностью последовательного ( косого) разрыва элемента. [10]
 |
Распределение электронов и напряженности электрического поля в кристалле генератора Ганна в первый момент после подачи постоянного напряжения.| Распределение электронов и напряженности злек. [11] |
Локальная напряженность электрического поля около невыпрямляющих контактов из-за наличия различных дефектов может превышать пороговую напряженность электрического поля. Это обеспечит образование тяжелых электронов около катода, которые, двигаясь относительно медленно к аноду, создают отрицательный заряд. Легкие электроны в остальной части кристалла двигаются к аноду быстрее тяжелых. Таким образом образуется домен, состоящий из двух слоев: слой со стороны катода из-за избытка тяжелых электронов имеет отрицательный заряд, слой со стороны анода из-за недостатка электронов имеет положительный заряд. [12]
Локальная напряженность электрического поля около невыпрямляющих контактов из-за наличия различных дефектов может превышать пороговую напряженность электрического поля. [14]
Согласно нормативам печные трубы подлежат отбраковке и замене при наличии различных дефектов, выявляемых во время ревизии. [15]
Страницы: 1 2 3