Наложение - постоянное поле
Cтраница 1
 |
Гистерезисные циклы и зависимость проницаемости от напряженности поля для магнитодиэлектриков на основе Mo-пермаллоя. [1] |
Наложение постоянного поля на переменное обратимо изменяет свойства маг-нитодиэлектриков; остаточное изменение ц ничтожно и составляет десятые - сотые доли процента. [2]
 |
Изменение обратимой проницаемости в зависимости от напряженности поля. Феррит.| Температурная зависимость. [3] |
При наложении постоянного поля на переменное их направления в первую половину периода совпадают, а во вторую - противоположны; приращения индукции за разные полупериоды в слабых полях одинаковы, а в средних и сильных, в соответствии с нелинейной зависимостью В ш ( Я), различны. [4]
Магнитное состояние феррита при наложении постоянного поля на переменное определяется так называемыми частными циклами. В практических условиях работы возможны любые соотношения между величинами напряженности постоянного и переменного полей и соответствующие им изменения индукции на частном цикле. [5]
Лучше всего удерживаются микроорганизмы при наложении постоянного поля, степень удержания меньше в импульсном и еще меньше - в переменном поле. Показано также; что с повышением концентрации соли в суспензии количество удержанных клеток падает. При этом - в противоположность тому, что наблюдается при адсорбции микроорганизмов, - не выявлено заметных различий во влиянии одно -, двух - или трехзарядных катионов на процесс электрофильтрования. [6]
Изменение / г ( 0 при наложении постоянного поля должно приводить к изменению энергии активации температурной зависимости t, если обеднение поверхности не слишком велико. [7]
Определим теперь ток, возникающий при наложении постоянного поля, для случая заполненной энергетической зоны. [8]
 |
Электромагнитные параметры.| Относительное изменение обратимой магнитной проницаемости от напряженности постоянного магнитного поля при / / 1 6 А / м. [9] |
Изменение проницаемости при подмагни-чивании показано на рис. 4.5. Свойства магнитодиэлектриков изменяются обратимо при наложении постоянного поля на переменное. [10]
 |
Расположение зон намагничения при высокочастотном добавочном поле. [11] |
Описанный процесс записи с предварительным доведением носителя до насыщения и последующей записью при наложении дополнительного постоянного поля носит название записи с шдмагничиванием постоянным полем. [12]
На зависимость звуковой амплитуды от расстояния между излучающей катушкой и поверхностью образца распространяется сказанное в разделе 8.4. Без наложения постоянного поля амплитуда звука в результате ограничивающего действия может поддерживаться независимой от расстояния до катушки до тех пор, пока переменное поле остается более интенсивным, чем требуется для магнитного насыщения материала. Предпочтительное излучение в одном направлении может быть достигнуто точно так же, как и в случае магнитоиндуционных способов, соответствующим расположением и питанием рамок катушек. [13]
Эта особенность квантовой механики была впервые рассмотрена Оппенгеймером2), который применил ее к вычислению вероятности ионизации водорода в нормальном состоянии при наложении постоянного поля и показал, как этот механизм может объяснить испускание электронов холодными металлами в сильных электрических полях. Она стала хорошо известна благодаря применению Герни и Кондоном и Гамовым3) к задаче а-распада радиоактивных элементов. [14]
Если диэлектрическую проницаемость раствора измерять при помощи переменного поля слабой амплитуды, первый раз без всякого дополнительно налагаемого поля, а второй раз при наложении достаточно большого постоянного поля, то наблюдается разница в этих замерах. [15]
Страницы: 1 2