Наложение - третье - слой
Cтраница 1
Наложение третьего слоя производится лишь после приемки мастером второго слоя. [1]
При наложении третьего слоя возможны два варианта. [3]
При сварке стыков в три слоя наложением первого слоя разделка заполняется также на 50 - 60 %, наложением второго слоя - на 80 - 90 % и наложением третьего слоя разделка заполняется полностью, с тем чтобы шов возвышался также на 1 - 2 мм. [4]
Симметрия каждого плотно уложенного слоя отвечает группе 6mm ( ось симметрии проходит перпендикулярно слою); двухслойное расположение имеет более низкую симметрию Зт. Различие в симметрии между кубической и гексагональной решетками проявляется, естественно, лишь при наложении третьего слоя. Из всех возможных укладок только трехслойная является кубической, все остальные относятся или к гексагональной или к тригональ-ной системам. [5]
При навивании каната возникает радиальная деформация сжатия обечайки барабана и поперечная деформация сечения каната. После наложения нового слоя каната обечайка барабана получает дополнительное сжатие, однако часть радиального усилия воспринимается первым слоем жаната, который представляет как бы вторую трубу. При наложении третьего слоя радиальное усилие воспринимается слоем каната, который воспринимает часть нагрузки, а другую часть передает на первый слой, который также воспринимает часть нагрузки, передавая основную ее часть на обечайку барабана. При наложении последующих слоев процесс передачи радиального усилия на обечайку барабана аналогичен. [6]
 |
Слой шаров, плотнейшим образом прилегающих друг к другу.| Проекции двух основных плот-нейших упаковок шаров.| Плотнейшие упаковки шаров по кубическому ( а и гексагональному ( б законам. [7] |
Чтобы наложить плотнейшим образом на первый слой второй, каждый шар второго слоя следует поместить в углубление между тремя шарами первого слоя. Для большей ясности шары несколько раздвинуты. При наложении третьего слоя шаров возможны два варианта. В варианте а каждый шар третьего слоя лежит на трех шарах второго слоя таким образом, что под шаром третьего слоя нет шара в первом слое. В варианте б каждый шар третьего слоя также лежит на трех шарах второго слоя, но под каждым шаром третьего слоя оказывается шар в первом слое. Плотность заполнения пространства шарами в обоих вариантах, конечно, одинакова, одинаково и координационное число шаров ( 12), но симметрия в расположении шаров различна. [8]
 |
Слой шаров, плотнейшим образом прилегающих друг к другу. [9] |
Чтобы наложить плотнейшим образом на пер вый слой второй, каждый шар второго слоя следует поместить в углубление между тремя шарами первого слоя. Для большей ясности шары несколько раздвинуты. При наложении третьего слоя шаров возможны два варианта. В варианте а каждый шар третьего слоя лежит на трех шарах второго слоя таким образом, что под шаром третьего слоя нет шара в первом слое. В варианте б каждый шар третьего слоя также лежит на трех шарах второго слоя, но под каждым шаром третьего слоя оказывается шар в первом слое. Плотность заполнения пространства шарами в обоих вариантах, конечно, одинакова, одинаково и координационное число шаров ( 12), но симметрия в расположении шаров различна. [10]
Цилиндрические участки кабельного наконечника и всю заделку покрывают слоем шпатлевки, а затем накладывают на них с 50 % - ным перекрытием в три слоя подмотку из сухой чистой киперной ленты шириной 15 - 20 мм и толщиной 0 15 - 0 2 мм, смазывая слои шпатлевкой. Ленты ( накладывают плотно с усилием, начиная с цилиндрической части наконечника. Наложение третьего слоя производят после поворота на цилиндрической части наконечника. Для уменьшения смачиваемости поверхности и улучшения внешнего вида заделку тщательно покрывают шпатлевкой, имеющей повышенную вязкость. На цилиндрическую часть наконечника сверх киперной ленты подматывают плотный бандаж из шпагата и тщательно прокрашивают шпатлевкой. [11]
 |
Два плотноупакованных слоя АХ3 ( сплошные и пунктирные К РУЖК позиции атомов металла межлУсло м ( зачерченные круж-кп меньшего размера в октаэлри-ческом окружении атомам X. [12] |
В структурах А2ВХ6 имеются дискретные октаэдрические группы; в А3В2Ха и АВХ3, как видно из отношения X: В, группы ВХе должны соединяться через атомы X. Особенность этих структур, иллюстрируемая рис. 4.31, состоит в том, что общими у октаэдрических групп ВХ6 являются только вершины или грани. Это представляет собой существенное отличие от структур многих оксидов и галогенидов, характеризующихся наличием общих ребер октаэдров. Отсутствие общих ребер является попросту следствием строения слоев АХз, в чем можно убедиться при анализе моделей. При наложении третьего слоя на пару слоев возможны лишь две ориентации этого слоя; одна приводит к соединению октаэдров BXg через вершины, а другая - через грани. [13]
Страницы: 1