Cтраница 3
Но, может быть, из одинаковости направлений напряженности следует одинаковость модулей напряженности. [31]
Но, может быть, из одинаковости направлений напряженности следует одинаковость величин напряженности. [32]
Но, может быть, из одинаковости направлений напряженности следует одинаковость модулей напряженности. [33]
В изотропных средах направление тока совпадает с направлением напряженности электрического поля. [34]
![]() |
Ячейка Керра. [35] |
Направление оптической оси в веществе совпадает с направлением напряженности электрического поля. [36]
Исследование электростатического поля заключается в нахождении величины и направления напряженности в любой его точке. Таким образом, задача сводится к построению силовых линий такого поля. Но силовые линии перпендикулярны эквипотенциальным поверхностям, поэтому достаточно найти положение этих поверхностей, а затем можно построить и силовые линии. Найти распределение потенциалов в данном поле легче, чем определить направление силовых линий, поэтому обычно определяют положение и форму эквипотенциальных поверхностей. [37]
Линия, касательная в каждой точке которой4 совпадает с направлением напряженности, называется силовой линией электрического поля. [38]
Сопротивление р - - пере-хода резко зависит от величины и направления напряженности электрического поля, приложенного к выпрямителю. На рис. 93 ( справа) схематически изображен р - - переход. [39]
Следовательно, ось симметрии заряженного быстрого волчка медленно прецессирует вокруг направления напряженности однородного магнитного поля со средней угловой скоростью, равной частоте Лармора. [40]
Сила максимальна при движении заряда в направлении, перпендикулярном к направлению напряженности магнитного поля Н, и равна нулю, если заряд движется вдоль линии напряженности поля. [41]
Во внешнем электрическом поле электроны перемещаются в сторону, противоположную направлению напряженности электрического поля. Электропроводность полупроводника, обусловленную перемещением положительных дырок, называют собственной дырочной проводимостью. Процесс перемещения дырок вдоль направления напряженности электрического поля, а электронов - в противоположном направлении, происходит по всей массе полупроводника. Таким образом, в полупроводниках наряду с обычной электронной проводимостью наблюдается дырочная проводимость. [42]
Во внешнем электрическом поле электроны перемещаются в сторону, противоположную направлению напряженности электрического поля. Процесс перемещения электронов и дырок во внешнем поле происходит по всему кристаллу полупроводника. [43]
Во внешнем электрическом поле электроны перемещаются в сторону, противоположную направлению напряженности электрического поля. Положительные дырки перемещаются в направлении напряженности электрического поля, т.е. в ту сторону, куда двигался бы положительный заряд под действием электрического поля. Процесс перемещения электронов и дырок во внешнем поле происходит по всему кристаллу полупроводника. [44]
Во внешнем электрическом поле электроны движутся в сторону, противоположную направлению напряженности электрического поля, а положительные дырки - в направлении напряженности, т.е. в ту сторону, куда под действием поля перемещался бы положительный заряд. Электропроводность полупроводника, обусловленную перемещением дырок, принято называть дырочной проводимостью. [45]