Cтраница 3
В направлении поля Н на электрон не действуют никакие силы. [31]
В направлении поля, перпендикулярном слоям, оно обычно много больше, чем в направлении, параллельном слоям. Образцы предварительно длительно находились при этой влажности. [32]
В направлении поля он понижается на V2 eaF, а в противоположном направлении повышается на ту же величину. Под прямым углом к полю значение U остается неизменным. Поэтому миграция ионов в междуузлиях ( или вакансий) в направлении поля облегчается и можно вывести выражение для средней скорости движения дефектов при этих условиях. [33]
При перпендикулярном направлении поля к линиям проката эти величины комплексной магнитной проницаемости уменьшаются примерно вдвое. [34]
Ориентировки вдоль направления поля здесь также не происходит. Момент устанавливается вдоль поля только при наличии дополнительных сил, которые обычно вводят феноменологически. Они учитывают релаксацию ( установление вдоль поля) спина в результате взаимодействия с окружающей средой. Нечто аналогичное должно происходить и в нашей задаче, если мы учтем взаимодействие величин А, р, А с окружающей средой. Под окружающей средой здесь понимаются все внешние факторы, действующие и на активные атомы, и на электромагнитное поле. [35]
Если изменить направление поля на обратное и увеличивать величину поля, то поляризация будет изменяться по кривой АС, пока в точке С при поле - Ес не обратится в нуль. Это поле называется коэрцитивной силой. При дальнейшем увеличении поля ( по абсолютному значению) возникает поляризация, вектор которой будет направлен противоположно первоначальному направлению. [36]
Если же направление поля совпадает с направлением дефектов, рассеяние потока может оказаться столь незначительным, что дефект не будет обнаружен. [37]
![]() |
Изменение поля вдоль горизонтальной линии, проходящей через центры полостей А, В и С.| К вычислению поля, действующего на одну. [38] |
Стрелков показано направление поля. [39]
![]() |
Изменение поля вдоль горизонтальной линии, проходящей через центры полостей А, В и С.| К вычислению поля, действующего на одну из молекул диэлектрика. [40] |
Стрелке показано направление поля. [41]
Оу, направление поля одно и то же: tgaf ( x0), поэтому каждая такая прямая является изоклиной. [42]
Колебания вдоль направления поля остаются неизменными. [43]
![]() |
Энергетическая диаграмма / ij pa гетероперехода при наличии обратного ( а и прямого ( б смещения. [44] |
Это будет запорное направление поля, а обратный ток будет образован туннельным переходом электронов из второго полупроводника в первый и дырками, переходящими из первого полупроводника во второй. [45]