Направление - внешнее поле
Cтраница 1
Направление внешнего поля, при котором расширяется запирающий слой, называется запирающим: в этом направлении ток практически не проходит через контакт двух полупроводников. [1]
 |
Ориентация осей квантования ядерного спина с учетом локального поля напряженности А, обусловленного СТВ. [2] |
Когда направление внешнего поля совпадает с направлением одной из молекулярных осей, расстояние между линиями разрешенного дублета равно главной компоненте тензора СТВ. [3]
При гмменении направления внешнего поля домены разворачиваются в обратную сторону, и происходит перемагничивание тела. [4]
При изменении направления внешнего поля вектор поляризации убывает до нуля в точке Cj и затем, изменив свое направление, возрастает по величине вдоль кривой CtD. Дальнейшее изменение внешнего поля от ED до ЕА сопровождается изменением вектора поляризации по кривой DB2CZA; в точке Bz наблюдается остаточная поляризация. В точках С1 и С2 поляризация отсутствует, несмотря на наличие внешнего поля. [5]
При таком направлении внешнего поля электрический ток через контакт двух п - и / 7-полупроводников практически не проходит. Поэтому полупроводник с одним р - / г-перехо-дом называется полупроводниковым диодом. [6]
Его проекции на направление внешнего поля принимают соответственно значения 0, h 0, И, 2А и 0, Ь, 2Й, ЗЙ. [7]
 |
Сечение волновой функции ( в и электронное облако в 2. г-состоянии ( б. [8] |
За ось 2 выбирается направление внешнего поля. Для координат г, 91 и р она служит полярной осью. Область существования функции У10 представляет собой тело вращения, напоминающее объемную восьмерку. На рис. 11, а представлено сечение фигуры угловой составляющей, р-функций плоскостью xoz. Над плоскостью хоу, перпендикулярной ей, функция У10 положительна, под плоскостью хоу - отрицательна. При описании химической связи различие в знаках двух долей - функции оказывается весьма важным. Квадрат угловой функции У10 2 всегда положителен. [9]
 |
Доменная структура при перемагничивании тонкопленочного образца. [10] |
Эти значения зависят от направлений внешнего поля, его постоянной составляющей и плоскости обмотки, относительно которой измеряется магнитный поток. [11]
 |
Релаксационные спектры для случая, представленного на при фиксированном времени релаксации. Относительные заселенности варьировались так, как показано на рисунке. [12] |
Направление пучка у-лучей параллельно направлению внешнего поля. [13]
В текстурованных материалах при совпадении направления внешнего поля с направлением кристаллографических осей легкого намагничивания зерен скачкообразные повороты векторов намагниченности происходят почти одновременно. Эти скачки происходят при напряженности, близкой к коэрцитивной, после чего векторы J и Н практически совпадают по направлению. Поэтому петля гистерезиса принимает вид, показанный на рис. 1.4, в. Материалы с такой зависимостью В ( Н) называют материалами с прямоугольной петлей гистерезиса. [14]
В текстурованных материалах при совпадении направления внешнего поля с направлением кристаллографических осей легкого намагничивания зерен скачкообразные повороты векторов намагниченности совершаются почти одновременно. [15]
Страницы: 1 2 3 4