Cтраница 2
При сдвиге вдоль траектории элемент объема в одних направлениях сжимается, в других растягивается и сфера превращается в эллипсоид. По мере движения вдоль траектории как направления полуосей эллипсоида, так и их длины меняются; обозначим последние посредством / ( /) где индекс s нумерует направления. [16]
При сдвиге вдоль траектории элемент объема в одних направлениях сжимается, в других растягивается и сфера превращается в эллипсоид. По мере движения вдоль траектории как направления полуосей эллипсоида, так и их длины меняются; обозначим последние посредством ls ( t), где индекс s нумерует направления. [17]
При сдвиге вдоль траектории элемент объема в одних направлениях сжимается, в других растягивается и сфера превращается в эллипсоид. По мере движения вдоль траектории как направления полуосей эллипсоида, так и их длины меняются; обозначим последние через / s ( t), где индекс s нумерует направления. [18]
Добавим, что при таком двумерном течении материал движется по линиям течения, которые отходят от жестких плит вертикально, но быстро загибаются, превращаясь в горизонтальные линии, вдоль которых компонента скорости, параллельная оси, возрастает. В обоих случаях, представленных картинами линий скольжения на рис. 15.35, рис. 15.36, пластичный материал между пластинами течет в направлении отрицательной полуоси х лишь в одну сторону под некоторым перепадом давления, действующим в этом направлении. В первом случае, очевидно, этот перепад является пассивной реакцией на высокие давления, создаваемые в материале сближающимися плитами, тогда как во втором ( рис. 15.36) именно перепад давления в действительности является активным источником всякого движения и несколько раздвигает плиты. Используя терминологию теории давления грунтов, мы можем сказать, что давления в первом и во втором случаях являются соответственно пассивным и активным. [19]
Основное внимание уделяется щелевым антеннам и антеннам в виде открытого конца круглого волновода с применением различных рассеива-телей. Антенны строят в виде двух совмещенных в одной конструкции антенн линейной поляризации, плоскости поляризации излучения которых ортогональны, а в питающем фидере возбуждается эллиптически поляризованная волна, направления полуосей поляризационного эллипса которой совпадают с направлением излучающих элементов и проходят в плоскостях симметрии антенн. [20]
Следовательно, замкнутая система устойчива. Для неустойчивой системы этого же порядка характеристика показана пунктиром и имеет угол поворота - 1 квадрант. Обе характеристики заканчиваются на бесконечности в третьем квадранте в направлении отрицательной мнимой полуоси. [21]
Часто полезно заменить переменную ю на величину Zexp ( - ieoAf) ( поворот в единицу времени); это устраняет периодичность и множественность дисперсионных корней. При fc 0 решение Zexp ( i) соответствует плазменным колебаниям с со юр. С ростом KkD корни изгибаются влево, затем в направлении отрицательной действительной полуоси, где они быстро смыкаются и уходят дальше вдоль действительной оси. Один из корней двигается слегка влево, затем следует за другим корнем к началу координат. [23]
Электромагнитная теория дает также методику определения этих характеристик. Зададим направление падающей волны и проведем сечение обратного эллипсоида, перпендикулярное этому направлению. Тогда длины полуосей получившегося эллипса позволяют найти соответствующие показатели преломления, а направление полуосей эллипса укажет разрешенные направления колебаний в кристалле плоских волн. Однако для решения конкретных задач кристаллооптики обычно пользуются удобными и наглядными построениями Гюйгенса. [24]
![]() |
Ход лучей в кристалле.| Оптическая индикатриса одноосного крийталла. [25] |
Для света, распространяющегося в кристалле, характерно эллиптическое сечение, проходящее через центр оптической индикатрисы перпендикулярно направлению распространения света. Так, на рис. 11 показан луч света SO, падающий на кристалл, и эллиптическое сечение ABCD индикатрисы, перпендикулярное к лучу. Полуоси эллипса равны показателям преломления кристалла для лучей, направления которых совпадают с направлениями полуосей эллипса. [26]
![]() |
Привязка системы координат к элементам конструкций. [27] |
Исходным принято следующее положение: начало координат системы всегда совпадает с основной сборочной базой элемента. Предпочтение отдается той базе, от которой задается наибольшее число размеров, определяющих положения других элементов. Начало координат системы рекомендуется помещать в центр симметрии базы, если он существует. Направление полуоси ОХ всегда совпадает с направлением главного движения сборки или формообразования элемента. Такие условия существенно облегчают в последующем формообразование и выявление размерных цепей конструкций, проектирование технологии механической обработки и сборки и решение многих других вопросов, связанных с машиностроительным проектированием. [28]