Направление - электронный пучок
Cтраница 1
Направление электронного пучка на свариваемый стык осуществляется электромагнитной или кодоимпульсной системой отклонения пучка. [1]
 |
Возможные типы симметрии систем точек на плоскости. [2] |
Симметрия электронограммы повторяет симметрию кристалла вдоль оси, параллельной направлению первичного электронного пучка, и независимо от того, имеет кристалл центр инверсии или нет, след первичного пучка ( или проекция нулевого узла обратной решетки) является поворотной осью второго порядка. [3]
Если к какой-нибудь паре пластин приложена разность потенциалов, то направление электронного пучка будет отклоняться в сторону пластины с большим потенциалом. Траекторией движения электронов в поле пластин, которое в первом приближении можно считать однородным, является парабола. Пройдя поле пластин, электроны движутся по прямой, касательной к параболе в точке выхода их из отклоняющего поля. [4]
 |
Зависимость увеличения объектива. М от отношения - тт .| Зависимость расстояния а между катодом и фокусирующей диафрагмой от отношения потенциа. [5] |
Электронным зеркалом называют такой электроннооптический элемент, который, изменяя направление электронного пучка на обратное, дает возможность получить правильное изображение. Для получения электронных зеркал применяют задерживающее электрическое поле. С точки зрения световой оптики это соответствует не отражению, а искривлению луча в неоднородных прозрачных веществах, причем в месте поворота луч претерпевает полное внутреннее отражение. Электронные зеркала, аналогичные светооптическим зеркалам, в принципе могут быть осуществлены при помощи двойного слоя с задерживающим потенциалом. [6]
 |
Схема электронного прожек - [ IMAGE ] Схема электронного тора с ускоряющим электродом прожектора с магнитной фокуси. [7] |
Если к какой-нибудь паре пластин приложена разность потенциалов, то направление электронного пучка будет отклоняться в сторону пластины с большим потенциалом. Траекторией движения электронов в поле пластин, которое в первом приближении можно считать однородным, является парабола. [8]
Из этих волн интерес представляют те, которые распространяются в направлении электронного пучка и имеют скорость, близкую к скорости электронов. Именно эти волны и определяют процесс усиления в ЛБВ. [9]
Переданный импульс измеряется экспериментально по функции распределения ионов по проекциям скорости на направление электронного пучка. При этом неподвижная молекула получает кинетическую энергию порядка 10 - 5 эв. [10]
Метод основан на том, что величина искривления полос на интерферрограмме пропорциональна протяженности объекта вдоль направления электронного пучка. В качестве примера восстановлена октаэдрическая форма частицы окиси молибдена, полученной сжиганием металла в кислороде. Определено также значение среднего внутреннего потенциала частицы, равное 9 6 0 5 В. [11]
 |
Устройство ионной ловушки. [12] |
Устройство ионных ловушек, построенных по рассмотренной схеме, схематически показано на рис. 9.5. Поперечное магнитное поле, необходимое для направления электронного пучка к оси прожектора, обычно создается небольшим постоянным магнитом, укрепленным снаружи трубки. [13]
Источники с электронной бомбардировкой, используемые обычно на секторных масс-спектрометрах, снабжены, как правило, вспомогательным магнитом источника, магнитное поле которого, ориентированное по направлению электронного пучка, составляет несколько сот эрстед. Был сконструирован ряд источников без этого магнитного поля [216, 360, 361], однако до сих пор источники с вспомогательным магнитом имеются почти во всех аналитических, приборах, так как наличие магнита обеспечивает образование в источнике ионов на эквипотенциальной поверхности и улучшает разрешение и чувствительность. Общепринято мнение, что работа с подобным магнитным полем вводит нежелательную дискриминацию по массам, однако до сих пор не была проверена возможность включения влияния этого поля при вычислении дискриминации, возникающей в источнике. Инграм [1012] установил, что дискриминация масс, вызванная указанным выше фактором, не изменяется, если отношение этого поля к полю основного магнита поддерживается постоянным. В этих условиях сравнительные измерения могут быть проведены с удовлетворительной точностью. Однако изменение траектории электронов, связанное с изменением поля источника, вызывает изменение траектории положительных ионов, что приводит к меняющейся дискриминации. Поэтому единственным путем устранения одной из причин дискриминации по массам может быть лишь исключение этого поля. Изменение электростатического ускоряющего или магнитного полей приводит к изменению поля внутри ионизационной камеры, однако эти колебания могут быть сведены к минимуму при тщательном расчете прибора. Было показано [1068], что колебания магнитного или электростатического полей в ионизационной камере приводят, благодаря смещению электронного пучка, к незначительным систематическим ошибкам при измерении относительного содержания различных ионов. Из-за смещения электронного пучка и изменения условий образования объемного заряда [108] в источнике ионы образуются в различных точках, что обусловливает дискриминацию. [14]
Рассмотрим влияние этих факторов на конкретных примерах. Если кристалл состоит из отдельных пластин, тонких в направлении пропускания электронов, как, например, в случае одиночных кристаллов полиэтилена, то узлы в обратной решетке будут вырождаться, принимая форму полос, вытянутых в направлении, перпендикулярном плоскости пластины. В соответствии с уравнением ( VI1 - 7) эти полосы имеют длину 0 9 К ID, где D - толщина кристалла в направлении электронного пучка. Длина полосы измеряется между такими точками в пределах области интенсивности, между которыми интенсивность снижается вдвое. На рис. 147 показана такая обратная решетка с ее областями интенсивности, кроме того, на рисунке обозначена часть сферы отражения для электронного пучка. Благодаря малой длине волны величина радиуса сферы отражения 1 / Я достаточно велика, так что многие полосы решетки пересекаются им. [15]
Страницы: 1 2