Cтраница 2
Направлением результирующего скольжения для каждой симметрично расположенной тройки осей типа 1Ю -, пересекающихся в одной точке ( см. рис. 167), является одно из направлений типа Ш, которое и устанавливается вдоль направления растяжения. [16]
![]() |
Схема поясняющая перестройку оешеток К8 - Г12 ( 41 ]. [17] |
Относительная ориентация может быть представлена как простой сдвиг в плоскости ( 112) К8 в направлении [111] к8, в результате которого угол между двумя направлениями типа [1 1 1] 70 32) изменится и станет равным 60, как между направлениями типа [ НО ] в гексагональной решетке. [18]
Вместо этажных реле и этажных переключателей в шахте на всех этажах, кроме первого, устанавливаются двухпозиционные этажные фотоэлектронные перекидные переключатели на безнакальных тиратронах МТХ-90 с электромагнитами в катодных цепях, а в машинном помещении - промежуточные реле: РУВ и РУН - реле направления типа РП-23 или РПУ-1; РБС-рел & большой скорости для включения контактора Б; РВН - реле выбора направления типа РКП; РИС - токовое реле наличия спроса типа РКН. [19]
Вместо этажных реле и этажных переключателей в шахте на всех этажах, кроме первого, устанавливаются двухпозиционные этажные фотоэлектронные перекидные переключатели на безнакальных тиратронах МТХ-90 с электромагнитами в катодных цепях, а в машинном помещении - промежуточные реле: РУВ и РУН - реле направления типа РП-23 или РПУ-1; РБС-рел & большой скорости для включения контактора Б; РВН - реле выбора направления типа РКП; РИС - токовое реле наличия спроса типа РКН. [20]
Большое число корреляционных уравнений предложено для совпадающих по направлению типов конвекции. [22]
Поскольку в парамагнитной фазе в кубическом кристалле N10 имеется четыре эквивалентных направления типа 111, а именно [111 ], [111 ], [111 ] и [111 ], то три-гональная ось упорядоченной фазы может совпадать с любым из этих направлений. [23]
Аналогичным, образом могут быть получены формулы для двупреломления при других направлениях намагниченности. Так, например, нетрудно показать, что для намагниченности, параллельной направлению типа 111), линейное двупреломле-ние определяется компонентой gtt тензора квадратичной магнитооптической связи. [24]
![]() |
Основные этапы изготовления СВЧ-микросхем. [25] |
Ориентирование структур относительно кристаллографических направлений семейства 011 в плоскости ( 100) пластины производится либо по базовым срезам на пластине, либо по специально формируемым на краю пластины ( в сегменте шириной 3 - 4 мм) прямоугольным фигурам травления. При этом травление полупроводника на глубину 0 6 - 0 8 мкм выявляет направления типа 011 по более широкой полоске боковой грани, чем вдоль направления ОИ. Эта операция необходима для ориентированного в плоскости пластины изготовления меза-структур ПТШ с целью обеспечения перехода металлизации на подложку по наклонной грани травления для предотвращения разрыва пленки металла. [26]
Подобная взаимная ориентация решеток наиболее полно удовлетворяет принципу структурного соответствия. Ml I, а именно ( 111), ( Ml), ( 111), ( П1), и шесть кристаллографически эквивалентных направлений типа 110, то относительно одного положения кристалла аустенита возможны 24 ориентации кристаллов мартенсита, удовлетворяющие соотношению Курдюмова - Закса. [27]
Это может сказываться на уменьшении анизотропии формы частиц. Анализ рентгенограмм показывает, что в двухфазной области может образовываться одномерная структура, которая при медленном охлаждении до комнатной температуры или после отпуска трансформируется в двумерную структуру [3-11], причем переход из одномерной в двумерную структуру сопровождается развитием частиц а - фазы в направлениях типа 010, перпендикулярных магнитному полю. [28]
Гексагональные кристаллы окиси растут так, что ось [001] почти параллельна [111] ZnS; точная ориентировка определяется параллельностью плоскостей с плотной упаковкой частиц. Поскольку в ZnS имеется четыре эквивалентных направления типа [111], то в слое окисла следовало ожидать четыре различные ориентировки. Как показали авторы [147, 148], на данной грани осуществляются не все возможные ориентации, результаты зависят от направления пьезоэлектрических осей. [29]
На рис. 3.12 представлено изображение этих кристаллов, дана электронограмма и схема ее расшифровки. Тонкие у-пластины представляют собой чередующиеся полосы с двумя взаимно двойнико. Кроме рефлексов от матричных и двойниковых областей аустенита, имеются экстрарефлексы, и тяжи в направлении типа 111, перпендикулярном плоскости двойникования. [30]