Напряжение - загиб
Cтраница 1
 |
Вольт-амперная характеристика транзистора П210 с областью лавинного пробоя. [1] |
Напряжение загиба значительно меньше напряжения лавинного пробоя: так, например, для транзисторов типа П210 оно меньше на 10 - 15 в. Выход прибора из состояния лавинного пробоя возможен лишь при снятии напряжения. [2]
Величина напряжения загиба определяется по вольтметру V в момент появления загиба вольт-амперной характеристики. [3]
Можно заметить, что напряжение загиба характеристик стока понижается при увеличении напряжения на затворе; при этом напряжение пробоя сток - затвор почти постоянно и независимо от тока сток - исток. [4]
 |
Блок-схема установки для определения класса вентилей, токов утечки, удержания и переключения. [5] |
Для защиты испытуемого вентиля при измерении напряжения загиба предусмотрен блок защиты ( блок 4), который отключает источник анодного напряжения при превышении допустимых величин тока утечки испытуемого вентиля. [6]
 |
Общий вид прибора. [7] |
Нагревание тиристоров до 4 - 110 С вызывает несколько большее уменьшение напряжения загиба обратной характеристики, например до 1400 - 1700 в. [8]
Перед началом работы необходимо произвести проверку уставки защиты, чтобы при измерении напряжения загиба происходило отключение источника высокого напряжения при превышении допустимого тока утечки. [9]
 |
Блок-схема преобразователя СПЧР-3500 / 6. [10] |
Напряжение лавинообразования вентилей выбрано равным 1000 - 1150 В при напряжении переключения или напряжении загиба обратной ветви тиристоров не менее 1400 В. [11]
К числу параметров тиристора относятся показанные на рис. 1.13, a напряжение включения UBKJl и напряжение загиба ( пробоя) на обратной ветви ВАХ С / заг. [12]
Таким образом, можно отметить, что в мощных транзисторах, если соблюдаются условия, полученные выше, действует тепловой механизм пробоя и напряжение загиба характеристик будет зависеть от величины тока ( рис. 6.4) и параметров его импульсов. Для транзисторов, изготовленных из низкоомного материала, не исключается электрический пробой; поэтому для таких транзисторов напряжение загиба характеристик при саятии их импульсным методом будет слабо зависеть от тока. [13]
Если действует тепловой пробой ( в большинстве случаев для мощных транзисторов на основе германия), то характеристики, снятые по точкам на постоянном токе, будут снижать напряжение загиба по мере роста тока / к. Если действует электрический пробой ( в большинстве случаев для кремниевых транзисторов любой мощности и для транзисторов малой мощности любого материала), то при любом способе снятия характеристик напряжение загиба будет одним и тем же для всего семейства характеристик. [14]
Если осциллограф отсутствует, то перед - измерением необходимо проверить уставку защиты. Затем производится грубое определение напряжения загиба. При вторичном измерении при подходе к ранее определенному значению напряжение увеличивается более плавно, чем обеспечивается точное измерение напряжения загиба. [15]
Страницы: 1 2