Напряжение - ивые
Cтраница 4
Исходным для схемы преобразователя целесообразно считать режим, соответствующий одному из амплитудных значений мвх, транзистор VT1 закрыт, a VT2 открыт; конденсатор С1 заряжен, а С2 разряжен. После перехода мгновенным значением мвх через нуль ( точка а на рис. 10.14, б) начинается процесс переключения транзисторов. В течение достаточно малого времени открывающийся транзистор VT1 находится в режиме линейного усиления, ток / к ] его коллектора пропорционален положительному мгновенному значению входного напряжения, а ЭДС трансреактора - его производной. Электродвижущая сила возбуждает ток положительной обратной связи / ос zgl, который обусловливает быстрое переключение транзистора VT1 в открытое состояние. Токи в конденсаторах и напряжение ивых представляют собой экспоненциальный положительный импульс. [46]
 |
Дифференцирующая цепь ( а и временное диаграммы токов.. напряжений в дифференцирующей цепи ( б. [47] |
В момент t2 напряжение ЕХ изменяется скачком. Затем начинается разряд конденсатора С до напряжения - Um через резистор R. Таким образом, на резисторе R формируются разкополярные экспоненциально спадающие импульсы, фронт которых соответствует фронту и срезу импульсов иах. При малой постоянной времени т - 0 напряжение ивых соответствует значению производной ивх. [48]
 |
Аппроксимация функции. [49] |
При этом все диодные ячейки должны быть заперты. Для окончательного выбора типа ячеек определяется квадрант, в котором они должны работать. Учитывая, что при моделировании рассматриваемой - кривой напряжения ( токи), создаваемые всеми диодными ячейками должны вычитаться из напряжения ( тока), создаваемого ячейкой F ( 0), следует применить ячейки IV квадранта. В соответствии с этим в таблице заполняется строка Тип диодной ячейки и номер квадранта и строки, определяющие положения переключателей Bl, B2, ВЗ. Так как отрезок у уз получается вычитанием напряжения, создаваемого ячейкой IV, из напряжения, создаваемого ячейкой F ( 0), то ячейка IV должна запираться при входном напряжении uBXiy x / Kx, и должна обеспечить при вхш з / Лх напряжение ивых ш Уз / Ку. Рассуждая аналогично, можно заполнить строки Ограничение по л - и Набор F ( х) для остальных диодных ячеек, как типа В, так и типа А. Необходимо учитывать лишь то, что ячейки типа А в узловых точках аппроксимации не запираются, а отпираются. [50]
 |
Индикатор положения на магни-торезисторах. [51] |
Для защиты от механических повреждений вся магнитная система помещена в диамагнитный кожух 6 и залита эпоксидной смолой. Габаритные размеры индикаторов фирмы Siemens A. G. типа FP-210 показаны на рис. ЗА а. Это дает возможность скомпенсировать температурную зависимость магниторезисторов. При приближении ферромагнитной детали к торцу индикатора на выходе мостовой схемы вследствие изменения сопротивления магниторезисторов возникает выходной сигнал, изменяющийся в зависимости от перемещения детали в соответствии е рис. 3.4 в. Из кривой видно, что на определенном участке ( отмечен пунктиром) наблюдается линейная зависимость между ыВЬ1х и х, что может быть использовано для построения устройств измерения перемещения. Так, если деталь перемещается по отношению к торцу индикатора снизу вверх, то изменение напряжения Ивых имеет сначала максимум, а затем минимум ( рис. 3.4), а при перемещении сверху вниз мвых будет иметь сначала минимум, а затем максимум. [52]
Страницы: 1 2 3 4