Напряжение - источник
Cтраница 2
 |
Влияние нагрузки и напряжения источника питания на режим работы релаксатора. [16] |
Напряжение источника питания Е должно быть больше напряжения переключения переключающего диода. Сопротивление К должно быть таким, чтобы ограничиваемый им ток ие превышал значения тока выключения. При запертом переключающем диоде конденсатор С заряжается через сопротивления R и RH. Когда потенциал в точке А достигает значения, соответствующего напряжению переключения, переключающий диод отпирается. Конденсатор разряжается на сопротивление нагрузки R3 и переключающий диод. [17]
Напряжение источника питания должно быть равно Ек ( 1 1 - 4 - l 3) t / mBHx ( 1 1 1 3) -: 10 li2 В. [18]
Напряжение источника питания должно быть равно EKZUm Вых 2 - 05 ( 50 В. [19]
 |
Влияние нагрузки и напряжения источника питания на режим работы релаксатора. [20] |
Напряжение источника питания Е должно быть больше напряжения переключения переключающего диода. Сопротивление JR должно быть таким, чтобы ограничиваемый им ток не превышал значения тока выключения. При запертом переключающем диоде конденсатор С заряжается через сопротивления R и К &. Когда потенциал в точке А достигает значения, соответствующего напряжению переключения, переключающий диод отпирается. Конденсатор разряжается на сопротивление нагрузки Rs и переключающий диод. [21]
Напряжения источников питания оказываются приложенными в основном к переходам, обладающим по сравнению с областями транзистора значительно большими сопротивлениями, поэтому можно считать, что электрическое поле в базе бездрейфового транзистора практически отсутствует и перемещение дырок от эмиттера к коллектору происходит только из-за процесса диффузии. При непрерывной инжекции ( / э const) в базе устанавливается практически линейное распределение концентрации дырок, которое и предопределяет их перенос через базу. Концентрация собственных неосновных носителей ( дырок) в базе пренебрежимо мала и на рис. 3 - 5, в не показана. [22]
Напряжение источника питания может изменяться от 5 до 18 В. [24]
Напряжения источников питания оказываются приложенными в основном к переходам, обладающим по сравнению с областями транзистора значительно большими сопротивлениями, поэтому можно считать, что электрическое поле в базе бездрейфового транзистора практически отсутствует и перемещение дырок от эмиттера к коллектору происходит только из-за процесса диффузии. При непрерывной инжекции ( Ia const) в базе устанавливается практически линейное распределение концентрации дырок, которое и предопределяет их перенос через базу. Например, конкретному току эмиттера / Э2 соответствует кривая распределения 2, показанная на рис. 3 - 5, в. Концентрация собственных неосновных носителей ( дырок) в базе пренебрежимо мала и на рис. 3 - 5, в не показана. [25]
Напряжение источника питания ЕК2 выбирается с учетом обеспечения условия ( 2 - 25) в состоянии триггера, при котором оба транзистора открыты, и с учетом исключения выхода из строя закрытого транзистора Т2 в другом состоянии устойчивого равновесия за счет чрезмерно высокого напряжения на коллекторе выходного транзит стора. [26]
Напряжение источника питания ЕК2 выбирается с учетом обеспечения условия ( 49) в состоянии триггера, при котором оба транзистора открыты, и с учетом исключения выхода из строя закрытого транзистора Т2 в другом состоянии устойчивого равновесия за счет чрезмерно высокого напряжения на коллекторе выходного транзистора. [27]
Напряжение U источника уменьшается с течением времени; поэтому для корректирования работы прибора ( в некоторых ограниченных пределах) омметры обоих типов снабжаются регулируемыми магнитными шунтами. Такой шунт представляет собой стальную пластинку, через которую проходит часть магнитного потока постоянного магнита измерительного меха - голодна винта. [28]
Напряжение источника питания 1 / и п3 подключается первым, а отключается последним. [29]
Напряжение источника питания в это время приложено к дросселю L, и, следовательно, процесс дальнейшего насыщения трансформатора 77 прекращается. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5