Напряжение - модуляция
Cтраница 3
ЗГ поступают непрерывные синусоидальные колебания высокой частоты, на экранную сетку через сопротивление развязки R3z от модулирующего генератора МГ поступает напряжение модуляции, которое изменяет напряжение на экранной сетке по синусоидальному закону. В анодной нагрузке при этом выделяются амплитудно-модулированные колебания. [31]
Коэффициент частотных искажений выходного сигнала, зависящий от типа используемых транзисторов, схемы преобразователя ( одно - или двухтактная), формы напряжения модуляции и характера нагрузки, не должен превышать заданного значения во всем частотном диапазоне входного сигнала. [32]
Величина фазового сдвига между напряжениями модуляции и выходного сигнала в основном зависит ( на низких частотах) от характера нагрузки и формы напряжения модуляции. Фазовый сдвиг не должен превышать допустимой величины и может быть сделан весьма малым при условии, если нагрузка представляет собой избирательный контур, настроенный на частоту модуляции, или по своему характеру близка к активному сопротивлению. [33]
Дер sg 10; вид нагрузки - трансформаторная; частота модуляции / 400 гц; величина напряжения питания Un 6 3 в; форма напряжения модуляции - синусоидальная; температурный диапазон работы от 0 до - - 60 С; ( потребляемая мощность не оговаривается); срок службы - 5000 часов. [34]
 |
Реактивная лампа. [35] |
Модуляционной характеристикой при частотной модуляции называют зависимость ( рис. 131, е) Д / д / / в Ф ( модК где Емод - напряжение модуляции, подаваемое на одну из сеток лампы ( обычно управляющую); А / я / / н - относительная девиация частоты. [36]
 |
Схема шнротио-импульсной модуляции. [37] |
Для получения таких импульсов применяют известные из импульсной техники схемы переменной задержки импульсов во времени, использующие метод сравнения, причем опорным напряжением сравнения служит напряжение модуляции. [38]
 |
Детектор в виде нелинейного четырехполюсника, нагруженного на сопротивление Z.| Эквивалентная схема детектора. [39] |
Очевидно, величины / Ш2 и f / m2 будут комплексными выражениями выходного тока и выходного напряжения низкой частоты, а да - комплексным выражением напряжения модуляции. [40]
Для применения в преобразователях наиболее пригодны транзисторы первой группы, так как для них существует режим, при котором остаточное напряжение мало зависит от изменения напряжения модуляции. [41]
 |
Зависимости остаточного напряжения кремниевых транзисторов первой группы от напряжения модуляции при различных температурах окружающей среды. [42] |
Для кремниевых транзисторов первой группы эта формула дает хорошее качественное и близкое количественное совпадение с экспериментом по следующим двум показателям: во-первых, отпирание транзистора происходит при напряжении модуляции порядка 0 4 - 0 45 в ( для германиевых при 0 1 в), во-вторых, с ростом температуры окружающей среды отпирание транзистора происходит при меньших напряжениях модуляции. Минимальное значение гэ к для кремниевых транзисторов при комнатной температуре составляет примерно 20 - 30 ом. Это обстоятельство обусловливает малую эффективность применения кремниевых транзисторов для преобразования постоянного напряжения непосредственно от низкоомных источников сигнала. Германиевые транзисторы описываются формулой ( 6 - 20) с более высокой степенью точности. [43]
На один вход коррелятора ( Поступает напряжение - с выхода приемника, а на второй вход подается сигнал источника опорного напряжения, изменяющийся с частотой Р и совпадающий но фазе с напряжением модуляции. [44]
Температурный дрейф нулевого уровня, отнесенный ко входу преобразователя, зависящий от диапазона изменения температуры окружающей среды и определяемый изменениями параметров транзисторов в этом диапазоне температур, точностью подбора транзисторов ( в случае преобразователя на нескольких транзисторах), схемой модулятора, подгонкой компенсационных элементов и напряжением модуляции, не должен превышать заданного значения. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5