Напряжение - открывание
Cтраница 2
К моменту начала процесса второго опрокидывания триггера транзистор Г: 1 открывается, а выходной транзистор находится еще в закрытом состоянии. Лавинообразный процесс опрокидывания начинается тогда, когда напряжение база-эмиттер транзистора Т2 достигает напряжения открывания / бэао. При повышении температуры в момент опрокидывания триггера повышается напряжение база-эмиттер входного транзистора и уменьшается его базовый ток. Таким образом, при повышении температуры из рас-смотренных факторов два приводят к повышению порогового напряжения U Ya и один - к уменьшению. [16]
Потенциалы UKVT3 и UjVT4 соответственно равны 1 2 и 0 3 В, Их разности, равной 0 9 В, недостаточно, чтобы открыть переход база - эмиттер транзистора VT3 и переход диода VD. Наличие диода VD ( см. рис. 2.4, а) обеспечивает смещение напряжения открывания транзистора Vi3 и надежное закрывание его при UgWX0 3 В. [17]
Напряжение, до которого заряжается конденсатор С5, практически не зависит от напряжения питания блока; при изменении напряжения питания изменяется лишь время накопления энергии в трансформаторе. С уменьшением температуры окружающей среды напряжение зарядки конденсатора несколько увеличивается из-за увеличения напряжения открывания транзистора VT3, что способствует запуску и работе холодного двигателя. [18]
Если сигнал превышает порог срабатывания стабилитронов V5, V6, создающих зону нечувствительности, то один из транзисторов открывается, подключая двигатель М к источнику питания. Когда разность угловых положений движков окажется такой, что напряжение с выхода усилителя У станет меньше напряжения открывания стабилитронов V5, V6, транзистор VI ( V2) закроется, отключив двигатель от источника питания. Если рабочий механизм содержит редуктор, то его передаточное число должно быть учтено в передаточных числах редуктора Р и ЗУ. [19]
Пусть несимметрия схемы привела к тому, что напряжение на обмотке WQ в предыдущий полупериод больше, чем в настоящий, когда, например, транзистор VI2 открыт. Тогда разность напряжений At / на конденсаторе С1 и резисторе R3 возрастает и станет больше своего номинального уровня Л t / ном - При этом напряжение t / вэз достигнет напряжения открывания VT3 раньше, что приведет к уменьшению длительности импульса. Если At / At / HOM, то длительность импульса увеличивается, а его амплитуда уменьшается. Таким образом, в каждом плече схемы сравниваются амплитуды смежных импульсов и при появлении разности между ними происходит соответствующая корректировка длительности генерируемых импульсов. [20]
В этом случае цепочка работает следующим образом. После достижения напряжения открывания диода ZM ток будет определяться сопротивлением последовательно включенных резисторов Ra и г. Когда падение напряжения на резисторе г достигнет величины, достаточной для открывания диода D2, резистор г будет шунтирован. [21]
При поступлении строчного импульса ( наличии видеосигнала на входе модуля МЗ-1-6) происходит его стробирование импульсами обратного хода строк. Стробированные строчные импульсы через делитель RIO, R12 поступают на базу транзистора VT5 и периодически его открывают. За это время конденсатор С6 не успевает разрядиться до напряжения открывания VT8 и, таким образом, этот транзистор и транзистор VT9 остаются закрытыми. Устройство АПЧГ в этом случае не блокируется. [22]
Конденсатор С1 разряжается и подзаряжает конденсатор С2, Но в какой-то момент тока через динистор оказывается недостаточно для удержания динистора в открытом состоянии. Конденсатор С1 начинает заряжаться и как только напряжение на нем достигнет напряжения открывания динистора процесс повторится. При этом конденсатор С2 подзаряжается до напряжения, ограниченного напряжением стабилизации стабилитрона VD2, Но транзистор VT1 в этом случае окажется закрытым, a VT2 - открытым. [23]
Потенциалы UKVT3 и U VT4 соответственно равны 1 2 и 0 3 В. Их разности, равной 0 9 В, недостаточно, чтобы открыть переход база - эмиттер транзистора VT3 и переход диода VD. Наличие диода VD ( см. рис. 2.4, а) обеспечивает смещение напряжения открывания транзистора VT3 и надежное закрывание его при ивых0 3 В. [24]
 |
Схема бесконтактного магнитного реле БМР. [25] |
В качестве управляющего элемента все чаще применяется управляемый полупроводниковый диод - тринистор. По электрическим характеристикам тринисторы близки к тиратронам, поэтому схема бесконтактного реле на тринисторе ( рис. 102) аналогична схеме на тиратроне. В открытом состоянии сопротивление тринистора V мало, и на нем падает напряжение 0 5 - 1 В. Тринистор открывается, если напряжение питания превысит напряжение открывания или на управляющий электрод поступит положительный сигнал. Закрыть тринистор можно, как и тиратрон, уменьшив напряжение питания ниже напряжения отключения. [26]
Существенное значение в работе следящего привода имеют вопросы повышения точности отработки перемещения и устойчивости системы. Работа релейного следящего привода может быть неустойчивой вследствие возникающих колебаний около нулевого положения измерителя рассогласования. Допустим, что после отработки определенного угла б двигатель М отключается от источника питания. Вследствие механической инерции привода двигатель остановится не сразу, поэтому движок потенциометра КП2 перейдет положение, соответствующее равенству углов поворота валов, настолько, что сигнал на выходе усилителя У превысит напряжение открывания стабилитронов V5, V6; это приведет к включению двигателя в обратном направлении. [27]
 |
Схема сдвоенного компаратора К521СА1 ( а и его применение в двухуровневом сравнивающем устройстве ( б. [28] |
В компараторах могут быть использованы как типовые ОУ, так и ОУ специальной разработки. Последние имеют по сравнению с первыми ряд особенностей в схемном построении. Для повышения быстродействия в специализированных ОУ-компараторах приняты меры по предотвращению глубокого насыщения транзисторов, ускоренному их выходу из состояния насыщения. Обычно реализация этих мер достигается за счет шунтирования переходов коллектор-база обратносмещенными ( при отсутствии насыщения) диодами Шотки. Эти диоды имеют напряжение открывания ( порядка 0 3 В) существенно меньшее, чем напряжение открывания ( порядка 0 7 В) в типовом кремниевом транзисторе. В результате этого базоколлекторный переход транзистора оказывается практически закрытым даже при относительно больших сигнальных напряжениях. [29]
В компараторах могут быть использованы как типовые ОУ, так и ОУ специальной разработки. Последние имеют по сравнению с первыми ряд особенностей в схемном построении. Для повышения быстродействия в специализированных ОУ-компараторах приняты меры по предотвращению глубокого насыщения транзисторов, ускоренному их выходу из состояния насыщения. Обычно реализация этих мер достигается за счет шунтирования переходов коллектор-база обратносмещенными ( при отсутствии насыщения) диодами Шотки. Эти диоды имеют напряжение открывания ( порядка 0 3 В) существенно меньшее, чем напряжение открывания ( порядка 0 7 В) в типовом кремниевом транзисторе. В результате этого базоколлекторный переход транзистора оказывается практически закрытым даже при относительно больших сигнальных напряжениях. [30]
Страницы: 1 2