Напряжение - пик
Cтраница 1
 |
ВАХ туннельных диодов из различных полупроводниковых материалов. [1] |
Напряжение пика f / п - прямое напряжение, соответствующее пиковому току. [2]
Напряжение пика / макс - прямое напряжение, соответствующее пиковому току. [3]
 |
ВАХ туннельных диодов из различных полупроводниковых материалов. [4] |
Напряжение пика Un - прямое напряжение, соответствующее пиковому току. [5]
Пик - напряжение пика тока ( первой производной), В; Епач - напряжение начала снятия осциллополярограммы, В. [6]
 |
Вольт-амперная характера - [ IMAGE ] Эквивалентная схема туннель-стика туннельного диода, ного диода при малых сигналах. [7] |
Величины Up, и и Upp называются соответственно напряжениями пика, впадины и раствора, / р - пиковый ток, / - ток впадины. [8]
Характерные точки ВАХ служат классификационными статическими параметрами двухбазовых диодов: напряжение пика, или напряжение включения, Un и соответствующий ему ток пика, или ток включения, / и - координаты точки, отделяющей область отрицательного сопротивления от области отсечки; напряжение Uu и ток 1 впадины, отделяющей область отрицательного сопротивления от области малого положительного сопротивления; обратный ток / о при оговариваемом значении обратного напряжения; пробивное напряжение Unt при оговариваемом ( достаточно большом) значении обратного тока. [9]
До тех пор пока напряжение на эмиттере меньше, чем напряжение пика Кр, диод ток не проводит. Когда напряжение на конденсаторе становится больше, чем Ур, диод смещается в прямом направлении и начинает проводить ток. [10]
В схеме триггера обычно применяются импульсные туннельные диоды с наименьшей величиной напряжения пика ( Un) и с пиковым током / п, равным 2 - г - 5 ма. [11]
Параметрами туннельных и обращенных диодов являются: максимальный ток / шах; напряжение пика l / lf - напряжение впадины U2; отношение пикового тока к току впадины у Jmax / fmin. [12]
Туннельные диоды характеризуются еще пиковым током / ш током впадины / в, напряжениями пика и впадины Uu и Us и напряжением раствора ( Урр. [13]
Это выражение справедливо при обратных напряжениях, а также при прямых напряжениях вплоть до удвоенного значения напряжения пика Un. В ф-ле ( 2 - 50) постоянная К имеет размерность проводимости и определяется эмпирически. Туннельные диоды применяются для усиления и генерирования колебаний в широком диапазоне частот вплоть до СВЧ области и в качестве быстродействующих переключательных элементов в бистабильных устройствах. Малая инерционность этих приборов ( максимальные рабочие частоты достигают десятков гигагерц, а времена переключения менее 1 не) обусловлена работой на основных носителях. Это обстоятельство в сочетании с использованием весьма низкоомных полупроводников и тонкого р-п перехода улучшает температурную стабильность и повышает радиационную устойчивость туннельных диодов по сравнению с другими полупроводниковыми приборами. Наряду с маломощными сверхбыстродействующими создаются сильноточные туннельные диоды, применяемые в силовых преобразователях - инверторах постоянного тока в переменный. [14]
 |
Габаритные чертежи и цоколевка туннельных диодов. [15] |
Страницы: 1 2