Cтраница 3
Например, для электронных схем в качестве s1IOM можно взять напряжения питания схемы, так как при s 0 схема будет обесточена и значение Х ( 0) 0, а при s s IOM получим решение X, соответствующее устойчивому состоянию схемы. [31]
![]() |
Принципиальные схемы технологической сигнализации.| Схемы технологической сигнализации на один параметр. [32] |
В случае, когда сигнальная лампа рассчитана на напряжение меньшее, чем напряжение питания схемы, последовательно с лампой устанавливают резистор. [33]
Таким образом, быстродействие триггера в первую очередь зависит от добротности транзистора и напряжения питания схемы. При прочих равных условиях быстродействие триггера уменьшается с ростом емкости нагрузки и паразитных емкостей, шунтирующих каждое плечо триггера. [34]
![]() |
Каскад с повышенным максимальным напряжением сигнала и несимметричным выходом. [35] |
Режим покоя обоих транзисторов выбирается таким, чтобы напряжение источника питания делилось между ними поровну; в результате напряжение питания схемы можно брать вдвое больше, чем для обычного каскада с одним транзистором, и получать на сопротивлении R максимальное напряжение сигнала в два раза выше, чем от обычного каскада. Аналогичным образом можно включить не два, а три транзистора или больше и получить в несколько раз большее максимальное напряжение сигнала, чем может отдать обычный транзисторный каскад [ ЛИ, стр. [36]
![]() |
Каскад с повышенным максимальным напряжением, сигнала и несимметричным выходом. [37] |
Режим покоя обоих транзисторов выбирается таким, чтобы напряжение источника питания делилось между ними поровну; в результате напряжение питания схемы можно брать вдвое больше, чем для обычного каскада с одним транзистором, и получать на сопротивлении RK максимальное напряжение сигнала в два раза выше, чем от обычного каскада. Аналогичным образом можно включить не два, а три или больше транзисторов и получить в несколько раз большее максимальное напряжение сигнала, чем может отдать обычный транзисторный каскад [ ЛИ, стр. [38]
При отсутствии входного сигнала или при UciUun на выходе операционного усилителя DA1 будет положительное напряжение, примерно равное напряжению питания схемы, под действием которого заряжается конденсатор С. Положительное напряжение с конденсатора С поступает на инвертирующий вход усилителя DA2, вследствие чего на его выходе будет отрицательное напряжение. Транзистор VT исполнительного элемента в этом случае будет заперт, выходное реле обесточено, светодиод VD6 не светится. [39]
![]() |
Схема запоминающего элемента для ЗУ с пословной выборкой ( а и временные диаграммы его работы ( б. [40] |
В исходном состоянии напряжение на обеих разрядных шинах Upl и Upo равно нулю, а на шине слова А потенциал равен напряжению питания схемы. При этом транзисторы VT5 и VT6 закрыты, так как разность потенциалов между затворами и истоками по абсолютной величине меньше порогового напряжения. Триггер находится в одном из устойчивых состояний. [41]
![]() |
Электрическая схема ( а и структура ( б комплементарной МДС ИМС. [42] |
Логические ИМС на комплементарных МДП структурах характеризуются малым потреблением мощности в статическом режиме, высокими быстродействием и помехоустойчивостью, достигающей 40 % напряжения питания схемы. Уникальные электрические характеристики комплементарных МДП ИС ( быстродействие, потребляемая мощность, помехоустойчивость) определяются принципом их построения. [43]
![]() |
Схема запоминающего элемента для ЗУ с пословной выборкой ( а и временные диаграммы его работы ( 6. [44] |
В исходном состоянии напряжение на обеих разрядных шинах Upi и U o равно нулю, а на шине слова А потенциал равен напряжению питания схемы. При этом транзисторы VT5 и VT6 закрыты, так как разность потенциалов между затворами и истоками по абсолютной величине меньше порогового напряжения. Триггер находится в одном из устойчивых состояний. [45]