Напряжение - магнитное поле
Cтраница 3
Так, например, сопротивление монокристаллов при низких температурах не только самым резким образом зависит от кристаллографического направления, но и периодически изменяется в зависимости от напряжения магнитного поля. В висмуте не вполне заполнена электронами часть сильно вытянутой первой зоны, часть же электронов находится во второй зоне. Однако детальной и согласной с опытом теории свойств висмута в магнитном поле не существует. [31]
 |
Параллельное и последовательное соединения индуктивных элементов. [32] |
Для проводников или контуров с ферромагнитной средой следует учитывать, что L зависит от силы тока, так как для ферромагнитной среды ц меняется в зависимости от напряжения магнитного поля. [33]
Наконец можно сделать заключение о длине пробега, изучая влияние поперечного магнитного поля на электропроводность: если радиус кривизны электронной орбиты в магнитном поле становится сравнимым с длиной свободного пробега, угол поворота электронов может превысить 90 и изменить характер зависимости сопротивления от напряжения магнитного поля. [34]
Обслуживание ПМУ заключается в следующем: не реже одного раза в месяц проверять скорость движения воды и расход ее через шламоотделитель; один раз в год производить частичную разборку и очистку сепарирующей секции ПМУ, а один раз в два года полную с чисткой всех секций и проверки напряжения магнитного поля в рабочих зазорах; один раз в сутки промывать шламоотделитель до появления в контрольном кране чистой воды; не реже одного раза в год производить внутренний осмотр Ш-2; при временном отключении шламоотделителя необходимо периодически, не менее 3 раз в смену, продувать котел. [35]
Наконец, можно сделать заключение о длине пробега изучая влияние поперечного магнитного поля на электропроводность: если радиус кривизны электронной орбиты в магнитном поле становится сравнимым с длиной свободного пробега, угол, па который отклонился путь электрона, может превысить 90 п изменить характер зависимости сопротивле - ния от напряжения магнитного поля. Легко видеть, например, что при отклонении на 180 поток электронов, который: в слабом поле или при малой длине пробега, отклонился бы влево, окажется теперь повернутым вправо. [36]
Напряжение магнитного поля, создаваемого током / j в каждой части пространства, в точности пропорционально силе этого тока. [37]
Пройдя магнитное поле, этот разделенный на отдельные группы пучок ионов попадает в анализатор. Изменяя напряжение магнитного поля, заставляют каждую группу ионов последовательно проходить через щель анализатора. Группа ионов, имеющих одну и ту же массу, попадает в анализаторе на пластинку коллектора, и получаемые здесь заряды ионов нейтрализуются встречным электронным током. Измеряя этот ток самопишущим потенциометром, при последовательном прохождении всего потока положительных ионов получают полную масс-спектрограмму исследуемого вещества. [38]
Удельная мощность единицы поверхности нагревательной трубы при 90 С рассчитывается по диаметру и рабочей температуре. Для этого определяется напряжение магнитного поля на внутренней поверхности нагревательной трубы, а затем модуль и аргумент комплексной магнитной проницаемости. [39]
Усиленный магнетизм электромагнитов дает дальнейшее повышение напряжения и силы индукционного тока в якоре, который, проходя по обмотке электромагнитов, еще больше усиливает их магнитное поле. Это взаимное повышение напряжения магнитного поля и напряжения тока скоро достигает предела. [40]
Рабочие обмотки катушек регулятора ( рис. 1, / / /) находятся в магнитном поле, создаваемом мощным электромагнитом постоянного тока. Сила выталкивания обмоток пропорциональна напряжению магнитного поля в зазоре и силе тока, проходящего в обмотках. [41]
Mai нитпая индукция при напряжении магнитного поля 2500 А м составляет для ма. [42]
Это уравнение является хорошо известным уравнением распространения волны, а АГ А1 / с2, где с - скорость распространения. Такое же уравнение получается и для напряжения магнитного поля. [43]
Плоскость поляризации может браться либо через направление напряжения электрического поля, либо через напряжение магнитного поля, и этот выбор является исключительно делом определения. Обычно принимается, что плоскость поляризации содержит напряжение магнитного поля, так что она является перпендикулярной к напряжению электрического поля. [44]
 |
Зависимость коэфициента от величины I / O для одно-сло ных экранированных катушек. [45] |
Страницы: 1 2 3 4