Напряжение - пробой
Cтраница 3
Напряжение пробоя должно не более чем на 10 - - 15 % превышать требуемое напряжение испытания. [31]
Напряжение пробоя не снижается, или после нескольких пробоев при сниженном напряжении электрическая прочность вновь возрастает. Такой характер процесса относится к повреждениям соединительных ( и очень редко - концевых) муфт. [32]
 |
Искровой разряд. [33] |
Напряжение пробоя понижается при воздействии на газ внешнего ионизатора. [34]
 |
Зависимость электрического напряжения пробоя от толщины керамики ВаТЮ3. Температура 24 С. напряжение пробоя. [35] |
Напряжение пробоя 1 / Пр различно в зависимости от того, использован постоянный или переменный ток при том же напряжении. Кроме того, в случае переменного тока напряжение пробоя зависит от частоты. При постоянном токе пробивное напряжение обычно понижается при замедлении скорости подъема напряжения и с увеличением длительности подачи напряжения. [36]
 |
Устройство незапираемого тринистора ( а и графики, поясняющие его работу ( б. [37] |
Напряжение пробоя по абсолютной величине обыч-но превышает напряжение включения. Причина слабости двух переходов заключается в меньшей толщине переходов и большей концентрации носителей зарядов в прилегающих слоях. Описанные процессы относятся к неуправляемому двухэлектродному прибору с четырех-слойной структурой - динистору. [38]
Напряжение пробоя U ( Br) для диодов и тиристоров ( см. рис. 2.3 и 2.7) и напряжение переключения для тиристоров и симисторов / ( во) ( см. рис. 2.7 и 2.9) характеризуют соответственно возможности прибора выдерживать обратное ( запираемое) или прямое ( блокируемое) напряжение. Таким образом, эти предельные параметры ( рис. 2.10) показывают диапазон напряжений, внутри которого прибор может работать. [39]
Напряжение пробоя Unp, целесообразно измерять в импульсном режиме. [40]
Напряжение пробоя U ( BR) JI перехода j определяется из условия, что М - э-оо. [41]
Напряжение пробоя Unp снижается с течением времени, оно также уменьшается при увеличении давления на изоляцию, температуры, относительного удлинения. [42]
 |
Схематическое изображение р-п перехода с поверхностным дефектом. [43] |
Напряжение пробоя дефекта растет с температурой ( см. рис. 7), что подтверждает лавинную природу умножения в дефекте. [44]
Напряжение пробоя пленки зависит главным образом от ее толщины и структуры. Режим анодирования ( состав электролита, плотность и характер тока) влияет на напряжение пробоя, так как он влияет на толщину и структуру пленки. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5