Напряжение - поверхностный пробой
Cтраница 1
Напряжение поверхностного пробоя обычно меньше напряжения пробоя воздуха при том же расстоянии между электродами. Поверхностный пробой - это пробой воздуха, осложненный присутствием диэлектрика. Наличие на поверхности диэлектрика зарядов и различие диэлектрических проницаемостей и проводимостей воздуха и диэлектрика приводят к сильному искажению электрического поля. Это и снижает Unp воздуха при поверхностном пробое. [1]
Напряжение поверхностного пробоя обычно меньше напряжения пробоя воздуха при том же расстоянии между электродами. Поверхностный пробой - это пробой воздуха, осложненный присутствием диэлектрика. [2]
Напряжение поверхностного пробоя зависит от диэлектрических свойств среды, граничащей с поверхностью полупроводника. Такой средой обычно являются защитные покрытия, наносимые на полупроводниковый кристалл с целью предохранения его от действия влаги и различного рода загрязнений. Применение защитных покрытий с диэлектрической проницаемостью, большей, чем у полупроводника, позволяет повысить напряжение поверхностного пробоя. [3]
Почему с ростом температуры напряжение поверхностного пробоя растет. [4]
Расчеты показывают, что для германия ( е 16) в воздухе ( е да 1) в зависимости от плотности поверхностного заряда можно получить значение напряжения поверхностного пробоя в 5 ( и более) раз меньшее, чем для объемного пробоя. Для уменьшения возможности поверхностного пробоя выгодно иметь защитные покрытия с высоким значением диэлектрической проницаемости. Ниже, изучая процессы, определяющие стабильность характеристик полупроводниковых приборов, мы еще вернемся к рассмотрению этих эффектов. [5]
Напряжения пробоя их мало отличаются друг от друга и от пробивного напряжения однородной части р-п-перехода. Применяя однородный кремний и принимая специальные меры для повышения напряжения поверхностного пробоя, можно создать приборы, у которых лавинный пробой протекает равномерно по всей площади p - n - перехода и допустимые импульсы обратного тока значительно выше, чем для обычных р-п-переходов. Такие вентили называются вентилями с контролируемым лавино-образованием, или лавинными. [6]
С возрастанием температуры происходит обезвоживание поверхностного оксида, уменьшающее положительный поверхностный заряд. Ширина p - n - перехода у поверхности нарастает, ослабевает процесс умножения носителей зарядов, поэтому с ростом температуры напряжение поверхностного пробоя увеличивается. [7]
Для повышения допустимого напряжения коллектора планарного транзистора иногда применяют травление края коллекторного перехода; при этом создается структура меза, а транзистор называют мезапланарным. При травлении удаляются части базы и коллектора, имеющие наибольшую концентрацию примесей и дефектов; на краю перехода получается скос, который приводит к повышению напряжения поверхностного пробоя. [8]
Напряжение поверхностного пробоя зависит от диэлектрических свойств среды, граничащей с поверхностью полупроводника. Такой средой обычно являются защитные покрытия, наносимые на полупроводниковый кристалл с целью предохранения его от действия влаги и различного рода загрязнений. Применение защитных покрытий с диэлектрической проницаемостью, большей, чем у полупроводника, позволяет повысить напряжение поверхностного пробоя. [9]
 |
Зависимость напряжения пробоя от величины pd. [10] |
В результате слой пыли становится проводником электрического тока. Оседая на контактах коммутационных узлов, пыль может быть причиной нарушения соединений. Наиболее часто наблюдается это у коммутационных узлов с малым контактным давлением. Пыль на поверхности изоляционных материалов не только снижает поверхностное сопротивление на несколько порядков, но и уменьшает напряжение поверхностного пробоя. [11]
Кроме перечисленных выше возможных составляющих поверхностного тока при больших обратных смещениях может возникнуть еще одна, обусловленная развитием ударной ионизации на поверхности р - - перехода. Возникновение ударной ионизации на поверхности приводит к резкому возрастанию обратного тока с увеличением напряжения, наблюдается поверхностный пробой. Это говорит об изменении поверхностного заряда. Поверхность прибора очищается от хемосорбированных молекул, а ширина обедненной области р - - перехода на поверхности приближается к ширине в объеме. Это приводит к увеличению напряжения поверхностного пробоя вплоть до значения, соответствующего объемному пробою. [12]
Страницы: 1