Напряжение - электрический пробой
Cтраница 1
Напряжение электрического пробоя в первом приближении пропорционально толщине испытываемого образца. Тепловой пробой является результатом накапливающегося перегрева испытываемого образца и в значительной степени определяется электро - и теплопроводностью вещества и изменением этих величин с температурой. Резкого перехода от электрического пробоя к тепловому не существует. [2]
Расчет величины напряжения электрического пробоя связан с экспериментальным определением ряда физических констант и поэтому получаемые выражения зависят от качества исходного материала и от уровня экспериментальной техники изготовления переходов. [3]
Вследствие ненадежности метод напряжения электрического пробоя для измерения толщины пленки, не рекомендуется. [4]
Смена знака аст происходит при напряжениях стабилизации ( напряжениях электрического пробоя) между 5 и 6 В. [5]
Смена знака TKU происходит при напряжении стабилизации ( напряжениях электрического пробоя) между 5 и 6 В. [6]
 |
Схема включения диода с нагрузкой и построение линии нагрузки. [7] |
Кроме того, с повышением температуры у германиевых диодов снижается напряжение электрического пробоя. [8]
Контроль электрического пробивного напряжения неметаллических электроизоляционных покрытий основан на измерении напряжения электрического пробоя слоя диэлектрика. Измерительные электроды выполняют из твердого сплава с радиусом закругления 1 5 мм. [9]
 |
Выходные вольтамперные характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером ( источник питания подключен к выводам коллектор - эмиттер. [10] |
Напряжения, соответствующие тепловому пробою, отмечены надстрочными индексами т, напряжения электрического пробоя не имеют этого индекса. [11]
У кремниевых диодов при нагреве на каждые 10 С обратный ток увеличивается примерно в 2 5 раза, а напряжение электрического пробоя при повышении температуры сначала несколько возрастает, а затем уменьшается. [12]
В этом случае перенапряжения ограничиваются величиной напряжения электрического пробоя транзистора и в нем рассеивается почти вся энергия магнитного поля нагрузки. [13]
Микроплазменный шум наблюдается в виде ступенчатого сигнала с амплитудой порядка 10 - 5 А. Он возникает в сильном электрическом поле, например в р-п-переходе при напряжении, близком к напряжению электрического пробоя. Шум локализуется внутри перехода на малом участке размером 10 - 6 - 10 - 7 м, где имеются трещины и другие дефекты кристалла, образующие ловушки. Захваченные ловушками заряды увеличивают электрическое поле на этом участке, что способствует локальному лавинному пробою, образованию электронно-дырочной плазмы, а затем ее исчезновению. Процессы образования и разрушения микроплазмы - случайны, что и приводит к возникновению шумового тока через переход. [14]
При лавинном характере пробоя аст положителен. С увеличением температуры напряжение лавинного пробоя увеличивается, а при понижении температуры-уменьшается. При туннельном пробое осот становится отрицательным, так как с увеличением температуры напряжение туннельного пробоя уменьшается, с понижением температуры увеличивается. Смена знакааст происходит при напряжении электрического пробоя 5 - 6 В. Для уменьшения аст стабилитрона иногда применяют комбинацию из последовательно включенных ( двух или более), специально подобранных р-л-переходов с противоположным по знаку температурным коэффициентом напряжения. Одним из вариантов температурной компенсации является включение последовательно со стабилитроном диода в прямом направлении. [15]
Страницы: 1 2