Напряжение - смещение - транзистор
Cтраница 1
Напряжение смещения транзисторов получается за счет сопротивлений R3 и 4, включенных в цепь базы каждого триода. Шунтирование этих сопротивлений конденсаторами С4 и С5 значительно улучшает переключение транзисторов. [1]
Выберем напряжение смещения транзистора TI в закрытом состоянии равным - 1 В, тогда делитель Ri, R2 должен создавать напряжение t / Bi 1 В. В то же время во временно-устойчивом состоянии через резистор R проходит ток базы транзистора Т, который должен обеспечивать переход транзистора Т в режим насыщения. [2]
К элементам, предназначенным для создания режима каскада по постоянному току, относятся: делитель R, R2, определяющий напряжение смещения транзистора, и цепочка R3Ca, стабилизирующая положение рабочей точки транзистора. [3]
Напряжение па диоде остается постоянным и равным примерно 0 6 В при изменении тока через него в широких пределах. Поскольку напряжение смещения транзистора стабильно, ток коллектора также остается практически постоянным при снижении напряжения питания. [4]
Выбор Ек и RK базируется на требуемом выходном сопротивлении одновибратора и выходном напряжении. Сопротивление R3 влияет на напряжение смещения транзистора TI и выходное напряжение, R - на ток базы транзистора Т2 и вместе с С определяет время выдержки одновибратора. Наконец, сопротивления резисторов Ri и 2 влияют на напряжение смещения и ток насыщения транзистора TI во временно-устойчивом состоянии. [5]
В случае транзисторных цепей для амплитудной модуляции колебаний несущей могут быть использованы несколько способов. Один из них состоит в модуляции напряжения смещения транзистора. В этом случае рабочая точка, соответствующая немодулированному напряжению смещения, находится за пределами отсечки, и амплитуда колебаний несущей устанавливается таким образом, чтобы немодулированные пики оказались посреди области между состояниями насыщения и отсечки. Модулирующее напряжение включается последовательно с постоянным напряжением смещения, приложенным к базе. [6]
 |
Схема стабилизации амплитуды. [7] |
С-генераторы выполняют на нескольких транзисторах по схеме самовозбуждающегося мультивибратора. Частота генерации может управляться либо изменением напряжения смещения транзисторов, либо с помощью управляемых резисторов. Основой генератора является дифференциальный каскад, собранный на транзисторах Т2 и ТЗ. Управляющее напряжение подается на затвор этого транзистора. Оно должно быть отрицательным по отношению к общему проводу. Выходной эмиттерный повторитель - транзистор Т5 - служит для уменьшения влияния нагрузки на частоту генерации. [8]
Этим корректором служит резистор Щ8, которым можно в небольших пределах изменять напряжение смещения транзистора VT6, а значит, и длительность импульса ждущего мультивибратора. [9]
 |
Управляющая схема ключевого стабилизатора с широтно-импульсной модуляцией. [10] |
Мультивибратор работает обычным образом ( см. § 6.5), го транзисторы поочередно открываются и закрываются. А отрезок времени, в течение которого закрыт транзистор Т2, определяется постоянной времени перезаряда конденсатора С2, равной произведению емкости С2 на сопротивление между коллектором и эмиттером транзистора 7Y В свою очередь, сопротивления между коллекторами и эмиттерами транзисторов Т и Т определяются напряжениями смещения каждого транзистора. Напряжение смещения транзистора Т3 постоянно, оно создается параметрическим стабилизатором, собранным на стабилитроне Д и гасящем резисторе RI. [11]
На рис. 18.16 представлена входная характеристика транзистора. В режиме какого класса работает усилитель. Режимы каких классов можно обеспечить путем изменения напряжения смещения транзистора. [12]
 |
Какие элементы. уси. [13] |
На рис. 18.16 представлена входная характеристика транзистора. В режиме какого класса работает усилитель. Режимы каких классов можно обеспечить путем изменения напряжения смещения транзистора. [14]
Для получения большого коэффициента усиления по напряжению или по току усилитель выполняется из нескольких каскадов. Наиболее простым видом связи является непосредственное соединение выходного электрода одного усилительного элемента с входным электродом другого. При таком способе ( рис. 8.9) необходим резистор связи iRci, через который протекают коллекторный и базовые токи транзисторов TI и Г2; с другой стороны, в цепь эмиттера, транзистора Т2 необходимо вводить напряжение, близкое к UCi из-за того, что напряжение смещения транзистора ( здесь Т2) составляет немногие доли вольта. Кроме того, из схемы видно, что питающее напряжение последующего транзистора оказывается выше, чем предыдущего. [15]
Страницы: 1