Напряжение - базовое смещение
Cтраница 1
Напряжение базового смещения стабилизировано опорным диодом VD1 ( Д101), который работает на прямолинейном участке вольт-амперной характеристики. При изменении напряжения питания ток, проходящий через транзистор VT6, а следовательно, и напряжение на его нагрузке, будут изменяться незначительно. Нагрузкой же транзистора VT6 являются цепи питания транзисторов вышеуказанных каскадов. В результате при разряде батарей напряжение питания этих каскадов будет изменяться незначительно до определенного уровня, заданного напряжением стабилизации. [1]
Напряжение базового смещения Е § с помощью делителя на резисторах R и R % обеспечивает отсечку транзистора ( напряжение 1 на сопростивление R) при отсутствии ( и даже при небольшом отрицательном значении) входного сигнала еу; резистор RI, кроме того, ограничивает входной сигнал. [2]
Напряжение базового смещения EQ с помощью делителя на резисторах RI и R % обеспечивает отсечку транзистора ( напряжение iii на сопростивление Rt) при отсутствии ( и даже при небольшом отрицательном значении) входного сигнала еу; резистор Ri, кроме того, ограничивает входной сигнал. [3]
Напряжение базового смещения выходного триода EQ по приведенным соображениям должно быть выше 1 - 2 в. [4]
Как выбираются напряжение питания, напряжение базового смещения; выходной транзистор. [5]
 |
Усилительный каскад, J 0 0 0. [6] |
Так как изменения крутизны и напряжения базового смещения происходят с температурой практически по линейному закону, то можно предположить, что точки Л, В ц С будут лежать на одной прямой. [7]
Как выбираются напряжение питания, напряжение базового смещения; выходной транзистор. [8]
Для отсечки триода на базу его подается напряжение базового смещения. При считывании с сердечника 1 выходной сигнал ( на обмотке w2) открывает триод. Сопротивления R3 и RK стабилизируют работу элемента при разбросе параметров триода и нагрузки. [9]
Во время эксплуатации возможно изменение как нагрузок параллельной и последовательной, так и напряжений базового смещения и питания. [10]
 |
Влияние некоторых факторов на характеристику управления реального элемента НЕ. [11] |
Во время эксплуатации возможно изменение как нагрузок параллельной и последовательной, так и напряжений базового смещения и питания. [12]
 |
Магнитно-транзисторный элемент. [13] |
Схема элементов трансформаторная, отличается от схемы рис. 14.6, а тем, что на выходе ( в цепи связи) вместо вентиля В2 включен транзистор по схеме с общим эмиттером, обладающий, как известно, значительным коэффициентом усиления мощности. Для отсечки транзистора на базу его подается напряжение базового смещения. [14]
При выбранном среднем значении первой промежуточной частоты ( 2 3 МГц) настройки контуров ЦС С и ЦС С С достаточно удалены друг от друга, поэтому появилась возможность совместить функции преобразователя частоты и гетеродина, в одном транзисторе. Стабильность частоты гетеродина при изменении напряжения источника питания поддерживается за счет стабилизации напряжения базового смещения транзистора Tj. При настройке конвертора совместно с приемником его выход подсоединяется непосредственно к катушке входного контура диапазона СВ ( для подключения конвертора необходимо в приемнике заранее сделать вывод этой точки и общего провода на гнезда для подключения), после чего производят сопряжение настроек этого контура с контуром гетеродина приемника в диапазоне частот 1450 - 2530 кГц изменением индуктивности катушки Lg и емкости конденсатора Сц в начале и конце диапазона. [15]
Страницы: 1 2