Cтраница 4
Необходимо отметить, что несмотря на режим глубокого насыщения, скорость переключения схем при использовании транзисторов с малыми постоянными времени накопления может быть достигнута достаточно высокой, так как вследствие малых перепадов выходного напряжения влияние коллекторной емкости сводится к минимуму. Это обстоятельство имеет особое значение для диффузионных транзисторов, у которых фронты в основном онределяются постоянной времени коллекторной цепи. В схемах ТЛНС нецелесообразно применять германиевые дрейфовые транзисторы ( несмотря на их высокие скоростные свойства) вследствие больших остаточных коллекторных напряжений даже в режимах глубокого насыщения. Кремниевые дрейфовые транзисторы используются в транзисторной логике с непосредственными связями, так как пороги открывания эмиттерных переходов ( С / бэ) значительно выше максимальных остаточных напряжений насыщенных транзисторов. [46]