Cтраница 1
Начальное напряжение смещения на базах транзисторов Т2 и ТВ создается с помощью диода Д1, включенного в прямом направлении. При возникновении на резисторе R3 относительно точки а положительной полуволны напряжения полезного сигнала открывается транзистор ТЗ. При отрицательной полуволне ток будет проходить через транзистор Т2, причем напряжение в коллекторную цепь этого транзистора будет поступать с разделительного конденсатора Ср за счет накопленной в нем энергии. [1]
Начальное напряжение смещения и сопротивление во включенном состоянии, а также их изменения со временем и температурой должны учитываться при разработке схемы коммутации напряжения лля ЦАП. Для транзисторов, включенных меж-у резисторами Rh и источником - - ЕГ, важен допуск на напряжение смещения и сопротивление во включенном состоянии. Номинальное значение напряжения смещения может быть компенсировано калибровкой источника опорного напряжения, а номинальное значение сопротивления включенного ключа - приравниванием сопротивления схемы разности между номинальным Rh и номинальным сопротивлением включенного ключа. [2]
Начальное напряжение смещения на базы транзисторов Гз и Г4, необходимое для устранения возникающих в двухтактных схемах нелинейных искажений в виде ступеньки подается с делителя напряжения MiRs. Введение - в делитель напряжения диода Д1 улучшает температурную стабилизацию тока покоя оконечного каскада. [3]
Для получения начального напряжения смещения в цепь базы транзистора через делитель 3R7 3R12 подается постоянное положительное напряжение, приблизительно равное 0 8 В. [4]
Схема ( а и характеристика ( б контактного электронного реле. [5] |
В результате действия этого сигнала и начального напряжения смещения С / со на сетке лампы устанавливается потенциал U0, при котором ток в обмотке реле Да равен значению тока срабатывания реле / ср. Так как ток, проходящий через контакт К, очень мал, то обгорание контакта весьма незначительно, что обеспечивает длительность работы реле. [6]
Зависимость нестабильности частоты при изменении напряжения смещения от величины напряжения смещения. [7] |
Нестабильность частоты генератора, вызванная изменением начального напряжения смещения зависит от величины начального напряжения смещения на варикапе. [8]
Штриховой линией изображены имяульсы токов при отсутствии начального напряжения смещения на базе. [9]
Уменьшение нелинейности начального участка модуляционной характеристики осуществляют подбором начального напряжения смещения. В тех случаях, когда в транзисторных усилителях мощности требуется обеспечить очень малый уровень искажений ( менее - 30 дБ для третьего порядка), напряжение смещения делают температурно зависимым. Для этой цели используют специальный диод, размещенный в корпусе транзистора в непосредственной близости от коллекторного перехода. [10]
Зависимость нестабильности частоты генератора при изменении уровня напряжения высокой частоты на варикапе от величины Еа при 1 / 2. [11] |
Варикап в схеме генератора находится под воздействием не только начального напряжения смещения, но и напряжения высокой частоты. В [15] показано, что при изменении уровня напряжения высокой частоты на варикапе изменяется частота генератора. [12]
Управление частотой осуществлялось двумя встречно включенными варикапами КВ102Г при нулевом начальном напряжении смещения, причем положительное управляющее напряжение запирает варикап, а отрицательное - открывает. [13]
Нестабильность частоты генератора, вызванная изменением начального напряжения смещения зависит от величины начального напряжения смещения на варикапе. [14]
Схема ждущей развертки и подсвета. [15] |