Наибольшее обратное напряжение

Cтраница 3

Диоды на основе коллекторного перехода ( рис. 12.2, б, д) имеют наибольшее обратное напряжение, диоды на основе эмиттерного перехода ( рис. 12.2, а, г) - наибольшее быстродействие и наименьший обратный ток, а диоды на основе параллельного включения переходов ( рис. 12.2, в) - наименьшее быстродействие и наибольший прямой ток. Структура диода рис. 12.2, а характерна для интегральных стабилитронов. [31]

Свойства лампы характеризуются ее параметрами. Параметрами диода являются крутизна, внутреннее сопротивление, допустимая мощность, рассеиваемая анодом, наибольшее обратное напряжение, срок службы, напряжение и ток накала. [32]

Схема для исследования диода [ IMAGE ] Характеристики диодов. [33]

Свойства лампы характеризуются ее параметрами. Параметрами диода являются крутизна характеристики, внутреннее сопротивление, допустимая мощность, рассеиваемая анодом, наибольшее обратное напряжение, срок службы, напряжение и ток накала. [34]

При управляющем напряжении t / зи 0 и подключении источника напряжения между стоком и истоком UCA по каналу течет ток, который зависит от сопротивления канала. Напряжение ( 7си равномерно приложено по длине канала, это напряжение вызывает обратное смещение р-п перехода между каналом р-типа и n - слоем, причем наибольшее обратное напряжение на р-п переходе существует в области, прилегающей к стоку, а вблизи истока р-п переход находится в равновесном состоянии. При увеличении напряжения [ / си область двойного электрического слоя р-п перехода, обедненная подвижными носителями заряда, будет расширяться, как показано на рис. 1.10, а. Особенно сильно расширение перехода проявляется вблизи стока, где больше обратное напряжение на переходе. Расширение р-п перехода приводит к сужению проводящего ток канала транзистора, и сопротивление канала возрастает. При некотором напряжении С / си границы р-п перехода смыкаются ( пунктир на рис. 1.10, а), и рост тока / с при увеличении С / с i прекращается. [35]

В некоторых конструкциях газотронов для наполнения используют аргон или ксенон. Для лампы типа Тунгар пользуются аргоном под давлением в 50 мм рт. ст. Такое относительно высокое давление газа уменьшает испарение катода, однако при этом также уменьшается и наибольшее обратное напряжение. Тунгары применяются в выпрямителях на рабочее напряжение до 100 в, служащих для зарядки аккумуляторов. [36]

Канальный транзистор, осуществленный в форме цилиндра. [37]

Действие канального транзистора можно представить себе как суперпозицию двух эффектов, которая дает конечный результат в виде полезного напряжения, возникающего в каждой точке канала. Одним из них является наличие напряжения источника на затворе. Наибольшее обратное напряжение приложено к переходу вблизи стока, а наименьшее - у истока. [38]

Важным свойством газотрона является способность выдерживать без пробоя большие обратные напряжения. Для выпрямителей на 100 - 200 кв изготовляются многосекционные газотроны. Наибольшее обратное напряжение имеют газотроны с ртутным наполнением. Однако их опасно эксплуатировать при низких температурах и при недокале. [39]

В непроводящую часть периода в любой выпрямительной схеме вентиль находится под обратным напряжением, которое в зависимости от схемы может значительно превышать амплитудное напряжение сети. Через вентиль в это время течет обратный ток, который в нормальном режиме очень мал. Но при слишком высоком обратном напряжении происходит пробой, сопровождающийся сильным током и часто разрушением самого выпрямителя. Пробой ионного выпря мителя в непроводящую часть периода называется обратным зажиганием. Наибольшее обратное напряжение ( U0sp) max, ПРИ котором можно еще считать исключенным обратное зажигание, является одним из параметров выпрямителя. Правильно сконструированный и изготовленный кенотрон характеризуется очень слабым обратным током и высокой вентильной прочностью. [40]

Характеристики отдельных полупроводниковых диодов, даже одного и того же типа, всегда несколько отличаются друг от друга. Это обстоятельство необходимо учитывать при последовательном и параллельном соединении диодов. Любой диод обладает некоторым внутренним сопротивлением, имеющим существенно различные значения в проводящем и непроводящем состояниях. Например, при прямом смещении диода падение напряжения на его внутреннем сопротивлении составляет около 0 3 В. При последовательном соединении диодов важную роль играет их обратное сопротивление. Даже в диодах одной партии они различаются, и наиболее качественные диоды обладают большим обратным сопротивлением. В случае обратного смещения последовательно включенных диодов обратное напряжение распределяется по диодам неравномерно, и наибольшее обратное напряжение будет на том из них, который обладает более высоким обратным сопротивлением. Это может привести к пробою диода. [41]

При замене в схеме вышедшего из строя диода новым диодом того же типа никогда не возникает необходимости каких-либо изменений в схеме. При отсутствии диода того же типа часто можно подобрать подходящий диод другого типа, так как номенклатура выпускаемых отечественной промышленностью диодов достаточно широка. При этом в первую очередь нужно учесть, что заменяющий диод должен относиться к той же группе, что и заменяемый: к выпрямительным диодам, к импульсным, высокочастотным или диодам СВЧ, стабилитронам, варикапам или туннельным диодам. Точечный диод заменяется также точечным, плоскостной - плоскостным. Такие параметры заменяющих диодов, как максимальный средний прямой ток и максимальное обратное напряжение, должны быть не меньше, чем у заменяемых. Емкость перехода высокочастотных заменяющих диодов не должна быть больше, чем у заменяемых. Пределы изменения емкости варикапов должны быть одинаковы. При необходимости подобрать для замены другой тип тиристора необходимо сравнить такие параметры, как наибольшее прямое напряжение на запертом тиристоре, наибольшее обратное напряжение и наибольшую силу тока в прямом направлении. Все эти параметры у заменяющего тиристора должны быть не меньшими, чем у заменяемого. [42]

Страницы: 1 2 3