Cтраница 1
![]() |
Эффект накопления носителей при переключении полярности напряжения на германиевом диоде с прямого направления на обратное. [1] |
Допустимое обратное напряжение определяется шириной р-п-пере-хода и критическим значением напряженности поля на запорном слое, которое для кремния составляет около 5 - Ю5 в / см. Если превзойти это значение напряженности поля, увеличивая обратное напряжение, то произойдет туннельный ( при увеличении удельного сопротивления-лавинный) пробой запорного слоя, сопровождающийся сильным увеличением тока, при котором p - n - переход утрачивает свои запорные свойства. Можно повысить максимально допустимое обратное напряжение, создав p - n - переход на основе полупроводника с малой концентрацией примесей ( высокоомного), поскольку при этом ширина запорного слоя возрастает. Однако в этом случае сильно возрастают прямые потери из-за высокого сопротивления растекания тока в полупроводнике. По этой причине в мощных выпрямителях вместо простой р-п-структуры используют p - s - n - структуру, которая обладает высоким обратным напряжением и малыми прямыми потерями. [2]
Допустимое обратное напряжение также зависит от температуры перехода диода, которая определяется степенью загрузки и видом охлаждения. Заводом-изготовителем оговаривается предельный режим работы диода, для которого задаются допустимые значения рабочих параметров. В табл. 1 - 1 приведен перечень и даны определения основных предельно допустимых параметров и некоторых характеристик полупроводниковых диодов и тиристоров. [3]
Допустимое обратное напряжение С / 0бр - среднее за период значение обратного напряжения, при котором обеспечивается надежная и длительная работа диода. При повышении температуры 1 / 0бр и / о, как правило, снижаются. [4]
Допустимое обратное напряжение t / 06p - среднее значение за период, при котором обеспечивается надежная и длительная работа диода. Превышение обратного напряжения приводит к пробою и вы. При повышении температуры значения обратного напряжения и прямого тока снижаются. [5]
Допустимое обратное напряжение для этих диодов равно 800 в при 20 С, допустимый средний выпрямленный ток 100 ма. [6]
Допустимое обратное напряжение для дренажа ПЭД-45-М составляет примерно 80 - 100 в, вследствие чего такие дренажи могут быть использованы при защите кабеля от токов электрифицированных железных дорог, где дренаж типа ПЭД-45 часто не может быть использован. [7]
Допустимое обратное напряжение - это гарантированный предел отрицательного напряжения, при котором еще не происходит пробоя вакуумного промежутка между катодом и анодом. [8]
Допустимое обратное напряжение - напряжение, приложенное к вентилю против направления пропускания и не вызывающее опасности пробоя или потери вентильных свойств. [9]
Допустимое обратное напряжение 1 / о6р в вольтах - наибольший размер отрицательного напряжения, при котором не происходит электрического пробоя промежутка катод - анод. [10]
Допустимое обратное напряжение на переходе управляющий электрод - катод ( УЭ-К) тиристора ограничивается величиной 0 5 - 1 В. Резистор R3 ограничивает ток через переход УЭ-К, а резистор R4 с сопротивлением 51 Ом предотвращает ложное включение тиристора при действии помех. [11]
Допустимое обратное напряжение м0бр доп - Превышение этой величины ведет к пробою диода. [12]
Допустимое обратное напряжение U должно быть всегда больше обратного напряжения U, под которым оказывается кенотрон в те моменты времени, когда ток через него не протекает и на его аноде имеется отрицательный потенциал относительно катода. [13]
Допустимое обратное напряжение U p n выбирают таким, чтобы при нем не наблюдалось обратного зажигания газотрона. Величина допустимого обратного напряжения зависит от ряда причин, в первую очередь от температуры газа. При повышении температуры от 35 до 55 С величина U n Должна снизиться примерно в два раза. [14]
Допустимое обратное напряжение кремниевых диодов ( до 1600 В) значительно превосходит аналогичный параметр германиевых диодов. [15]