Cтраница 2
![]() |
Конструкции полосковых линий. [16] |
Типичные значения граничной частоты / т биполярного транзистора КНС составляют 3 - 5 ГГц. Малые размеры и отсутствие хорошего теплоотвода ограничивают допустимую мощность рассеяния прибора. Переходы этих транзисторов используются также для изготовления диодов п - п-р типа. Допустимые обратные напряжения диодов достигают 10 - 15 В. Токи утечки не превышают нескольких десятков наноампер. [17]
Диоды, используемые для выпрямления переменного напряжения промышленной частоты в источниках питания, называют кенотронами. Для кенотронов определяющими параметрами являются выпрямленные ток и напряжение. Допустимый выпрямленный ток определяется эмиссионной способностью катода и мощностью рассеяния анода. Выпрямленное напряжение ограничивается допустимым обратным напряжением диода, которое определяется электрической прочностью диода, в основном качеством изоляции анода. В паспортах и справочниках для кенотронов указывают не максимальное выпрямленное напряжение, а допустимое обратное напряжение. [18]