Cтраница 4
Поэтому при выборе диода для схемы однополупериодного однофазного однотактного выпрямления необходимо принимать во внимание, что максимально допустимое обратное напряжение диода было больше или равно амплитудному значению напряжения на вторичной обмотке трансформатора. [46]
Газотроны, так же как и высоковакуумные диоды, применяют в качестве выпрямителей, поэтому важным их параметром является максимально допустимое обратное напряжение, определяющее возможную величину выпрямленного напряжения. В газотронах допустимое обратное напряжение существенно ограничивается вероятностью возникновения тлеющего разряда между анодом и катодом. Это связано с тем, что процесс деионизации газа в приборе протекает сравнительно медленно и при работе газотрона в выпрямительном устройстве после перехода от положительного напряжения анода к отрицательному в разрядном промежутке остается еще в течение некоторого времени значительное число не успевших рекомбинировать ионов и электронов. Испускаемые анодом электроны будут с большой скоростью устремляться к положительно заряженному катоду, ионизируя на своем пути газ. В приборе возникнет обратный разряд, при котором анод выполняет функции катода, а катод - анода. [47]
В качестве параметров, характеризующих предельно допустимые режимы транзистора, в справочниках указываются: максимально допустимая температура коллекторного перехода; максимально допустимые обратные напряжения; максимально допустимые токи и максимально допустимые мощности для коллекторного и эмиттерного переходов. [48]
Основными максимально допустимыми параметрами являются: Ркмакс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеиваемая коллекторным переходом; КБ макс - максимально допустимое обратное напряжение между коллектором и базой транзистора; С / кэ макс - максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером; t / эвмакс - максимально допустимое обратное напряжение на эмиттерном переходе; / кмакс - максимально допустимый постоянный ток коллектора. [49]
Поэтому важно, что - ( бы температура этого перехода не превышала температуры ( для кремния 150 - 200 С), при которой переход выдерживает максимально допустимое обратное напряжение. [50]
Из рассмотрения вытекает, что возможности полупроводникового диода как выпрямителя характеризуются величинами максимально допустимого анодного тока, определяющего максимальный выпрямленный ток ( ток нагрузки), и максимально допустимого обратного напряжения, определяющего максимальное выпрямленное напряжение. [51]
Основными параметрами силового ( выпрямительного) диода, имеющими значение для практики, следует считать максимальное значение прямого тока, при котором диод может длительно работать без перегрева, и максимально допустимое обратное напряжение, при котором возможна длительная работа диода без его пробоя. Превышение этих значений тока и напряжения может привести к полному разрушению диода. [52]
Обозначение вентиля состоит из трех знаков и расшифровывается следующим образом: буквы ВГ означают вентиль германиевый, два знака после букв означают величину номинального тока, последние два знака означают группу выпрямителя по максимально допустимому обратному напряжению. [53]
В зависимости от типа и мощности транзистора классификационными параметрами могут быть коэффициент передачи тока, предельная частота усиления, предельная частота генерации, статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, модуль коэффи - циента передачи на высокой частоте, максимально допустимое обратное напряжение. Расшифровка этих параметров будет дана ниже. [54]
Основными максимально допустимыми параметрами являются: Ркмакс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеиваемая коллекторным переходом; КБ макс - максимально допустимое обратное напряжение между коллектором и базой транзистора; С / кэ макс - максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером; t / эвмакс - максимально допустимое обратное напряжение на эмиттерном переходе; / кмакс - максимально допустимый постоянный ток коллектора. [55]
Сопротивление между выводами базы и эмиттера, базы и коллектора в одном из положений щупов омметра должно быть 10 - 500 Ом, при изменении полярности подключения на участке коллектор - база не менее 100 кОм, а на участке эмиттер - база не менее 10 кОм, если транзистор исправен; напряжение внутренней батареи омметра не превышает максимально допустимых напряжений для этих участков, например у большинства ВЧ транзисторов максимально допустимое обратное напряжение база-эмиттер не превышает 1 - 3 В. Дальнейшая проверка на работоспособность может быть осуществлена путем установки электронных приборов в заведомо исправный приемник. [56]
При обратном смещении интегрального диода необходимо учитывать, что напряжения, прикладываемые к диоду и изолирующему р-л-переходу, не должны превышать пробивных напряжений соответствующих переходов. Максимально допустимое обратное напряжение для вариантов /, / / и IV ограничивается напряжением пробоя перехода эмиттер - база, а для вариантов / / /, V - напряжением пробоя перехода коллектор - база, Напряжение пробоя перехода эмиттер - база обычно составляет 5 - 7 В, перехода коллектор - база - 50 - 60 В и перехода коллектор - подложка - свыше 70 В. К параметрам диода, характеризующим обратную ветвь в.а.х., относится постоянный обратный ток через диод при смещении его в обратном направлении. [57]