Рабочее обратное напряжение

Cтраница 1

Структура титановой выпрямительной пластины.| Типичные вольтамперные характеристики титановой выпрямительной пластины при разных температурах окружающей среды. [1]

Рабочее обратное напряжение на отдельный выпрямительный элемент находится в пределах 11 - ч - 25 в, пробивное напряжение 35 - т - 50 в. Плотность обратного тока при номинальном напряжении не превышает 40 а / ж2 при комнатной температуре. [2]

Величина рабочего обратного напряжения определяет класс вентиля. Всего имеется 3 группы и 6 классов вентилей. [3]

Особенностью диодов и транзисторов полупроводниковых микросхем являются сравнительно малые допустимые рабочие обратные напряжения на переходах. Некоторые микросхемы могут быть выведены из строя даже статическими зарядами, которые скапливаются на пальцах. [4]

Определения для повторяющегося и неповторяющегося импульсного обратного напряжения, импульсного рабочего обратного напряжения и постоянного обратного напряжения аналогичны. [5]

Значения повторяющегося и неповторяющегося импульсного обратного напряжения, а также импульсного рабочего обратного напряжения устанавливаются при максимально допустимой температуре перехода. При испытаниях диодов, как правило, проверяется максимально допустимое значение только одного из этих параметров, а именно значение неповторяющегося импульсного обратного напряжения. [6]

К определению терминов повторяющееся, неповторяющееся и импульсное рабочее обратное напряжения. [7]

Смысл терминов повторяющееся импульсное обратное напряжение, неповторяющееся импульсное обратное напряжение и импульсное рабочее обратное напряжение поясняется рис. 3.25. Импульсы переходного напряжения ( перенапряжения) с амплитудой, равной максимально допустимому значению повторяющегося импульсного обратного напряжения, прикладываются к диоду периодически с частотой, равной частоте питающей сети. Импульсы же переходных напряжений с амплитудой, равной максимально допустимому значению неповторяющегося импульсного обратного напряжения, прикладываются к диоду с частотой, меньшей частоты питающей сети. Эти импульсы могут следовать весьма хаоти о во времени, не подчиняясь какой-либо определенной закономерности. Однако предполагается, что наименьший интервал времени между двумя соседними импульсами должен быть достаточно велик ( около секунды или больше) с тем, чтобы влияние предыдущего импульса на состояние диода полностью исчезло к моменту приложения последующего импульса. [8]

Параметры силовых германиевых выпрямителей значительно превосходят параметры купроксных и селеновых выпрямительных элементов: величина рабочего обратного напряжения 100 - 200 в; плотность рабочего тока достигает нескольких десятков ампер на 1 см2 при небольшом падении напряжения; собственная емкость незначительная ( для диода типа ДГ-Ц не более 50 пф), что позволяет выпрямлять переменный ток частотой до 50 кги. [9]

Параметры силовых германиевых диодов значительно превосходят параметры купроксных и селеновых выпрямительных элементов: величина рабочего обратного напряжения измеряется сотнями вольт; плотность рабочего тока достигает нескольких десятков ампер на 1 см2 при небольшом падении напряжения; собственная емкость незначительна ( для диодов типа ДГ-Ц не более 50 пф), что позволяет выпрямлять переменный ток частотой до 50 кгц. [10]

В зависимости от размеров выпрямительного элемента рабочий выпрямленный ток может изменяться от долей миллиампера до нескольких ампер. Рабочее обратное напряжение равно 8 в. Для получения более высокого напряжения выпрямительные элементы соединяют последовательно, помещая несколько шайб или прямоугольников на одном стяжном болте, от которого они изолированы. [11]

Схема совпадения И. [12]

Интегральные схемы характеризуются коэффициентом усиления, входным и выходным сопротивлением и полосой рабочих частот. Особенностью диодов и транзисторов полупроводниковых ИС является сравнительно малое допустимое рабочее обратное напряжение на переходах. При работе с элементами ИС следует учитывать, что они могут перегреваться даже при незначительном превышении напряжения источников питания сверх указанных в паспорте, так как размеры отдельных элементов и всего кристалла весьма малы. Цифровые ИС характеризуются следующими параметрами: средней задержкой распространения сигнала ( быстродействие схемы), помехоустойчивостью ( определяется максимально допустимым значением напряжения помехи, действующей на входах или выходах ИС), выходным напряжением и оптимальным сопротивлением нагрузки. [13]

Ниже будут рассмотрены устройство основных полупроводниковых выпрямителей, их параметры, особенности применения. Наиболее существенны следующие параметры: величина номинального нагрузочного тока, величина рабочего обратного напряжения, допустимый диапазон температуры и изменение параметров при ее повышении, собственная емкость выпрямительных элементов, коэффициент полезного действия. [14]

Максимальный выпрямленный ток зависит от величины рабочей поверхности шайбы. Допустимая плотность тока в нормальных температурных условиях равна приблизительно 25 ма на 1 см2 поверхности шайбы. Рабочее обратное напряжение не зависит от размера шайбы, оно сильно зависит от технологии изготовления селеновых выпрямительных элементов. [15]

Страницы: 1 2